ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NAEUV光刻机 他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。VandenBrink进一步强调了Hyper-NAEUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据VandenBrink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431859.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431859.htm

阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案

阿斯麦High-NAEUV光刻机取得重大突破，成功印刷10纳米线宽图案https://www.ithome.com/0/762/554.htmASML公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径EUV系统首次印刷出10纳米线宽（denseline）图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在现实生产环境中复制这一成果。”

ASML 首次公开展示 High NA EUV 光刻机

ASML首次公开展示HighNAEUV光刻机2月10日，ASML在荷兰总部向媒体展示新一代HighNAEUV光刻机TwinscanEXE:5000。这台光刻机尺寸等同于一台双层巴士；重达150吨，相当于两架空客A320客机；价值高达3.5亿欧元（约合27亿元人民币）；全套系统需要250个货箱装运，需要250名工程人员、历时6个月才能安装完成，不仅价格高昂也相当耗时。TwinscanEXE:5000可以制造8nm线宽电路，从而实现晶体管密度比前一代提高至2.9倍。https://laoyaoba.com/n/893942