通富微电:实现最高 13 颗芯片集成及 100×100mm 以上超大封装

通富微电:实现最高13颗芯片集成及100×100mm以上超大封装通富微电在投资者互动平台表示,公司掌握超大多芯片FCBGAMCM技术,实现最高13颗芯片集成及100×100mm以上超大封装。通过在多芯片组件、集成扇出封装、2.5D/3D等先进封装技术方面的提前布局,公司可为客户提供多样化的Chiplet封装解决方案,现已具备7nm、Chiplet先进封装技术规模量产能力。

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长电科技宣布4nm芯片封装产品出货1月5日,长电科技午间宣布,公司XDFOIChiplet高密度多维异构集成系列工艺已按计划进入稳定量产阶段,同步实现国际客户4nm节点多芯片系统集成封装产品出货,最大封装体面积约为1500mm2的系统级封装。长电科技表示,目前,长电科技XDFOI技术可将有机重布线堆叠中介层厚度控制在50μm以内,微凸点(μBump)中心距为40μm,实现在更薄和更小单位面积内进行高密度的各种工艺集成,达到更高的集成度、更强的模块功能和更小的封装尺寸。同时,还可以在封装体背面进行金属沉积,在有效提高散热效率的同时,根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。据了解,长电科技充分发挥这一工艺的技术优势,已在高性能计算、人工智能、5G、汽车电子等领域应用,向下游客户提供了外型更轻薄、数据传输速率更快、功率损耗更小的芯片成品制造解决方案。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1337739.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1337739.htm

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