三星：2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺

三星：2024年中国市场DRAM/NAND芯片供应将出现短缺据悉，调查结果表明，半导体行业将从2024年起全面反弹。随着智能手机市场逐渐复苏，预计一些市场将出现DRAM和NAND芯片的供应短缺，特别是在中国市场。三星的一位高级管理人员提到，越来越多的半导体公司已经完成库存调整阶段，特别是在与最大客户苹果公司成功进行价格谈判之后。预计NAND业务的亏损将大幅减少。在服务器DRAM业务方面，针对北美大客户的半导体库存调整也进入最后阶段。数据中心运营商为了应对人工智能（AI）需求，正在扩大基础设施投资。证券业人士表示，考虑到库存逐步稳定，预计从第四季度开始，存储市场供需改善和价格上涨趋势将同时显现。三星是否继续减少产量还需进一步关注。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1388677.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1388677.htm

NAND现货价格增长 DRAM需求小幅回升

NAND现货价格增长DRAM需求小幅回升另一方面，由于现货价格上涨过快，买家有些犹豫不决，接受高价的意愿变低。由于主流DRAM产品整体需求并未好转，因此预计价格将持续波动。主流芯片是指DDR41Gx82666MT/s，其平均价格从上周的1.498美元上涨至本周的1.500美元，涨幅0.13%。NAND现货市场方面，由于晶圆供应减少，近期NAND现货价格出现大幅反弹，导致存储卡、USB闪存设备、eMMC等现货价格上涨。尽管如此，买家跟进意愿不强，价格短期内再次回落。本周，512GbTLC晶圆现货价格上涨3.96%，达到1.757美元。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387033.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1387033.htm

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14%

2024年HBM供应量预计增长260%占DRAM产业的14%Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。由于HBM从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。 TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和SKhynix的HBM生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SKhynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。关于目前主流HBM3产品的市场份额，SKhynix占据了HBM3市场90%以上的份额，而随着AMD的MI300在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424110.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424110.htm

大摩：预计 2024 年第一季 DRAM 和 NAND 闪存价格将环比上涨 18%~23%

大摩：预计2024年第一季DRAM和NAND闪存价格将环比上涨18%~23%摩根士丹利指出，PC及智能手机ODM、OEM厂目前的库存水位仍低，厂商正在积极建立库存。其援引TrendForce数据称，智能手机商移动DRAM库存为4~6周，且NAND（eMMC、UFS）库存6~7周，TrendForce预计2024年第一季DRAM和NAND闪存价格较2023年第四季上涨18%~23%。

Stellantis预计半导体供应将于2023年底恢复正常

Stellantis预计半导体供应将于2023年底恢复正常汽车制造商Stellantis在10月18日警告称，为遏制不断飙升的通货膨胀而提高利率，有可能导致经济增长速度放缓。此外，该公司还预测，困扰了汽车行业很长一段时间的芯片供应短缺问题有可能在2023年得到解决。Stellantis首席执行官唐唯实（CarlosTavares）在巴黎车展上表示，他预计通货膨胀将在未来一到两年中得到控制。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1328705.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1328705.htm