北京布局 3000 余亩产业基地 顺义初步形成第三代半导体产业链

北京布局3000余亩产业基地顺义初步形成第三代半导体产业链从近日举行的2024中关村论坛系列活动——北京（国际）第三代半导体创新发展论坛上获悉，本市在中关村顺义园布局规划了3000余亩的第三代半导体产业基地作为核心承载区，顺义区目前已初步形成第三代半导体产业链布局。相比以硅、锗为半导体材料的第一代半导体和以砷化镓等为主的第二代半导体，第三代半导体材料包括以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带化合物，在耐高温、耐高压以及承受大电流等方面具备明显优势，在新能源汽车、5G、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域拥有广阔的发展前景和应用空间。第三代半导体产业也被认为是极具基础性、前瞻性和战略性的先导产业，是有望实现“弯道超车”的产业突破口。（北京日报）

晶盛机电：目前 6、8 英寸碳化硅衬底片已实现批量销售

晶盛机电：目前6、8英寸碳化硅衬底片已实现批量销售晶盛机电在互动平台表示，碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高电导率、高热导率等优越物理特征，在新能源汽车、新能源发电、轨道交通、航天航空、国防军工等领域的应用有着不可替代的优势。2023年11月4日，公司举行了“年产25万片6英寸、5万片8英寸碳化硅衬底片项目”签约暨启动仪式，旨在加快半导体材料端的关键核心技术攻关，实现国产化替代，这一举措标志着公司在半导体材料领域的技术实力和市场竞争力将进一步提升。公司积极推进项目进度与产能提升，目前6、8英寸碳化硅衬底片已实现批量销售。

据媒体报道，意法半导体近日宣布，计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅（SiC）的工厂，该工厂将专注于功率器

据媒体报道，意法半导体近日宣布，计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅（SiC）的工厂，该工厂将专注于功率器件和模块的制造，同时涵盖测试与封装流程。公司总裁表示，卡塔尼亚的碳化硅园区将全面释放其集成能力，预计在未来几十年内，为意法半导体在汽车和工业领域中的碳化硅技术领先地位奠定坚实基础。该园区将作为意法半导体全球碳化硅生态系统的核心，全面整合从碳化硅衬底开发、外延生长工艺，到200毫米前端晶圆制造和模块后端组装的全过程。此外，还涵盖工艺研发、产品设计、先进的研发实验室、模具、电源系统和模块，以及完整的封装能力，这标志着欧洲首次实现200mmSiC晶圆的大规模生产。（快科技）

联动科技：目前半导体产业链仍处于去库存阶段

联动科技：目前半导体产业链仍处于去库存阶段联动科技5月28日接待机构调研时表示，整体来看，目前半导体行业不景气，整个产业链仍处于去库存的阶段。半导体行业是典型的周期性行业，相信行业低谷不会长期持续。在国家政策的引导下，随着未来半导体行业景气度的回升和下游需求的逐渐恢复，以及国产替代带来的巨大需求，尤其随着国内IGBT和碳化硅MOSFET功率器件和模块国产化率的逐步提高，国内半导体设备公司也将迎来更多新的发展机会。

意法半导体在意新建碳化硅产业园落成后晶圆产量可达 1.5 万片 / 周

意法半导体在意新建碳化硅产业园落成后晶圆产量可达1.5万片/周6月6日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座集8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模块制造、封装、测试于一体的综合性大型制造基地。该项目预计2026年运营投产，在2033年前达到全部产能，在全面落成后，晶圆产量可达1.5万片/周。该项目总投资额预计约为50亿欧元，意大利政府将按照《欧盟芯片法案》框架提供约20亿欧元的资金支持。

欧盟《芯片法案》推进 意法半导体获 20 亿欧元补贴

欧盟《芯片法案》推进意法半导体获20亿欧元补贴意法半导体获欧盟芯片法案巨额补贴。当地时间5月31日，欧盟委员会公告，在《欧洲芯片法案》下，批准意大利补贴意法半导体(ST)20亿欧元，以支持在意大利西西里岛卡塔尼亚建造和运营的集成芯片制造工厂，用于制造碳化硅(SiC)相关电力器件。碳化硅是一种用于制造晶圆的复合材料，支持高性能功率器件中使用的特定微芯片，例如电动汽车、快速充电站和可再生能源等。卡塔尼亚园区的芯片集成工厂将涵盖从原材料到成品器件的所有制造步骤，包括功率晶体管和功率模块的生产。晶圆直径为200mm，工厂计划在2032年满负荷运行。