过早放弃10nm以下先进制程的恶果显现，格芯客户开始转单

过早放弃10nm以下先进制程的恶果显现，格芯客户开始转单格芯（GlobalFoundries）早在2018年放弃了10nm及以下先进制程的研发，转而研究硅光子技术。在最近的财报会议上，格芯CEOTomCaulfield对外透露，客户采用10nm以下制程工艺的速度比预期快，部分客户已开始转向其他代工厂。目前格芯最先进的制程是12LP+，有望媲美同业的10nm，但仍不敌7nm。https://www.icsmart.cn/73970/

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年

三星谋划3D堆叠内存：10nm以下一路奔向2032年就在进入10nm之后，三星将全面开启3D内存时代，首先引入VCT(垂直通道晶体管)，看起来应该是基础的FinFET类型，而非更先进的GAA。大约2030-2031年的时候，三星将升级到堆叠DRAM，将多组VCT堆在一起，从而获得更大容量、更高性能，看起来还会引入电容器作为辅助。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1426176.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1426176.htm

三星研发全新4F2内存芯片：首次到达10nm以下 面积缩减30%

三星研发全新4F2内存芯片：首次到达10nm以下面积缩减30%新内存单颗容量16Gb(2GB)，最高速度7.2Gbps(等效频率7200MHz)，相当于每秒可处理两部30GB的超高清电影，对比上代功耗降低了多达23％，同时晶圆生产率提高了20％。12nm之后呢？去年有消息称三星还在开发11nm工艺的内存，但即便11nm内存搞定了，内存行业迟早还要面对10nm以下的内存如何制造的难题，这就需要全面改进内存芯片架构了。日前韩国媒体爆料称，三星已经组建了一个团队，负责研发4F2结构（下图中WL与BL的乘积，数字越小意味着面积越小）的新一代DRAM内存芯片，与现在的6F2结构相比，即便工艺不变，面积也能减少30%，进一步提高存储密度。按照三星的想法，4F2架构的内存芯片有望成为10nm以下工艺节点的关键，工艺提升+架构改进双管齐下进一步推进内存芯片容量、性能等提升。不过4F2结构的内存芯片早在10多年前就有研发了，刚进入DDR3时代就有厂商计划使用，只是一直没有取得实际的进展，制造难度也是非常大的。除了4F2结构的内存之外，其他厂商还在计划别的技术路线，SK海力士的目标就是3DDRAM内存，但是这些新技术都有制造成本高的问题，需要时间来解决。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1361867.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1361867.htm

三星电子：正按计划推进 eMRAM 内存制程升级，8nm 版本基本完成开发

三星电子：正按计划推进eMRAM内存制程升级，8nm版本基本完成开发三星电子代表昨日在韩国“AI-PIM研讨会”上表示，正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级，目前8nmeMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存，MRAM基于磁性原理，具有非易失性，不需要同DRAM内存一样不断刷新数据，更为节能高效；同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍，支持对写入速率要求更高的应用。

全球晶圆产能排名：先进制程三星第一 成熟制程台积电第一

全球晶圆产能排名：先进制程三星第一成熟制程台积电第一根据KnometaResearch对于制程的划分标准：先进制程：3～6nm晶圆代工制程、Intel4～Intel7MPU、11～14nmDRAM、≥176L3DNAND次先进制程：7～16nm晶圆代工制程、Intel10～Intel14MPU、15-20nmDRAM、64-144L3DNAND成熟制程：20nm-0.11μm逻辑制程，>20nmDRAM大线宽制程：≥0.13μm具体来说，在所有包括存储、逻辑及模拟在内的全球芯片产能当中，截至2022年底，三星、SK海力士，美光等三大存储芯片制造商合计拥有全球先进制程产能的76%，其中绝大部分用于先进的DRAM和3DNANDFlash的生产。其中，三星占据了32%的份额，美光占据了25%的份额，SK海力士占据了19%的份额，此外另一大存储芯片制造商铠侠则占据了5%的份额。台积电作为全球最大的晶圆代工厂，拥有最多的逻辑前沿制程产能，但是在包括存储在内的整体前沿制程产能当中的占比仅为9%。在次先进制程产能当中，三星、铠侠、SK海力士这三家存储芯片制造商也同样取得了高达61%的份额。其中三星以31%的份额位居第一，排名第二的铠侠份额为16%，SK海力士则以14%的份额排名第四。台积电则凭借其庞大的7～16nm晶圆代工制程，也取得了16%的份额。英特尔也得益于其目前最大的Intel10～Intel14产能拿到了9%的份额。在成熟制程产能当中，台积电则以20%的份额位居第一，排名第二的三星份额为9%，成熟制程大厂联电份额也为9%。中芯国际凭借近几年的持续大规模扩产成熟制程产能，份额也达到了8%。排名第五的则是图像传感器大厂索尼，份额为7%。在大线宽制程产能当中，模拟芯片大厂德州仪器（TI）以11%的份额位居第一，排名第二的台积电份额为10%，联电份额为7%，意法半导体份额为5%，中芯国际也拿到了5%的份额。KnometaResearch表示，三星因为是业界最大的DRAM和NANDFlash芯片制造商，全球第二大先进逻辑制程芯片的制造商之一，因此是业界先进和次先进制程产能的最大拥有者。台积电是业界顶级的纯晶圆代工，在所有四个工艺产能的排名中均位于前五。目前，台积电拥有39条晶圆厂生产线，提供多样化的工艺技术组合，迎合各种各样的客户。联电和中芯国际等其他纯晶代工厂在成熟的技术领域发挥着重要作用。作为业界领先的模拟和以模拟为中心的混合信号芯片供应商，德州仪器是大线宽制程产能的最大拥有者。意法半导体则是业界最大的模拟和微控制器产品供应商之一，这些产品通常也采用成熟和大线宽工艺制造。不过，KnometaResearch并未在已公开的报告中公布截至2022年底各大晶圆厂商总产能的排名。但是根据KnometaResearch去年公布的截至2021年底的数据来看，三星当时的月产能为405万片约当200mm晶圆每月，在全球总产能当中的份额为19%，位居第一。台积电则以280.3万片当200mm晶圆每月的产能，占据了全球总产能13%的份额。紧随其后的则是美光（205.4万片，10%）、SK海力士（198.2万片，9%）、铠侠（132.8万片，6%）。由于在2022年，台积电位于中国台湾的Fab18的四期五期工程以及南京厂的二期工程的投产，预计将推动台积电整体产能的进一步提升。相比之下，由于存储市场需求下滑，铠侠和美光这两大存储厂在2022年四季度都相继宣布了减产30%和20%，预计截至2022年底，这两大存储厂商的产能将相比2021年底可能略低。三星和SK海力士在2022年底前均未宣布减产，预计产能相比2021年底要更高一些。另外，根据中芯国际财报显示，截至2022年底，其月产能为71.4万片约当200mm晶圆。显然，中芯国际目前的产能与前五大晶圆厂相比仍有较大差距。如果排除存储厂商，仅从晶圆代工厂来看，以营收数据来衡量，根据芯思想依据各家财报数据统计显示，2022年，台积电位居第一，市场份额高达63.14%；联电位居第二，市场份额为7.77%；格芯排名第三，市场份额为6.66%；中芯国际则是排名第四，市场份额为6.01%，相比上一年略有下滑。另外值得一提的是，KnometaResearch不久前公布的另一份报告显示，截至2022年底，美国企业月产能为460万片200毫米当量晶圆，其中200万片在美国国内晶圆厂生产，260万片在海外生产。也就是说，美国芯片制造商有56%的晶圆产能建在美国以外。其中，美国公司最大的离岸产能分布在新加坡（占总量的22%）、中国台湾（12%）、日本（10%）、德国（4%）、爱尔兰（3%）和以色列（2%）。存储芯片制造商美光是美国迄今为止最大的离岸产能所有者。该公司在美国境外经营着12家晶圆厂，占美国海外生产的260万片晶圆总量的65%。格芯（GlobalFoundries ）以14%的份额位居第二，紧随其后的是英特尔占9%，德州仪器占5%。不过，美国政府已经于2022年7月通过了配套有520多亿美元的《芯片与科学法案》，此举已经推动了台积电、三星、英特尔、美光、格芯等晶圆制程厂商加大了对于美国的投资。预计未来，随着新建晶圆厂的启用，美国本土的晶圆制造产能将获得大幅提升。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1347849.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1347849.htm