三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GBHBM3E存储芯片12层堆叠三星电子存储产品规划执行副总裁YongcheolBae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E12H采用先进的热压非导电薄膜（TCNCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM38H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TCNCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM38H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E12H样品，计划于今年上半年量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1421103.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1421103.htm

消息称三星将向英伟达独家供应 12 层 HBM3E

消息称三星将向英伟达独家供应12层HBM3E据韩国alphabiz消息，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSENAPPROVED）"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。