三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GBHBM3E存储芯片12层堆叠三星电子存储产品规划执行副总裁YongcheolBae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E12H采用先进的热压非导电薄膜（TCNCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM38H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TCNCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM38H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E12H样品，计划于今年上半年量产。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1421103.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1421103.htm

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