三星推出HBM3E "Shinebolt"、GDDR7 和LPDDR5x CAMM2内存

三星推出HBM3E"Shinebolt"、GDDR7和LPDDR5xCAMM2内存面向人工智能和数据中心的三星HBM3E"Shinebolt"内存基于三星在2016年将业界首个HBM2商业化并为高性能计算（HPC）打开HBM市场的专业技术，该公司今天发布了名为Shinebolt的下一代HBM3EDRAM。三星的Shinebolt将为下一代人工智能应用提供动力，提高总体拥有成本（TCO），加快数据中心的人工智能模型训练和推理。HBM3E每引脚速度高达9.8千兆比特每秒（Gbps），这意味着它可以实现超过1.2太字节每秒（TBps）的传输速率。为了实现更高的层堆叠并改善热特性，三星优化了其不导电薄膜（NCF）技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高导热性。三星的8H和12HHBM3产品目前已进入量产阶段，Shinebolt的样品也已交付给客户。凭借其作为半导体整体解决方案提供商的优势，该公司还计划提供将新一代HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交服务。适用于下一代游戏显卡的三星GDDR7-32Gbps和32GbDRAM会上重点介绍的其他产品包括业界容量最高的32GbDDR5DRAM、业界首款32GbpsGDDR7以及可显著提升服务器应用存储能力的PBSSD。据三星称，与目前最快的24GbpsGDDR6DRAM相比，GDDR7内存将提高40%的性能和20%的能效，芯片容量最高可达16Gb。首批产品的额定传输速度达32Gbps，比GDDR6内存提高了33%，同时在384位总线接口解决方案上实现了1.5TB/s的带宽。以下是32Gbps引脚速度在多种总线配置中提供的带宽：512位-2048GB/秒（2.0TB/秒）384位-1536GB/秒（1.5TB/秒）320位-1280GB/秒（1.3TB/秒）256位-1024GB/秒（1.0TB/秒）192位-768GB/秒128位-512GB/秒该公司还测试了运行速度高达36Gbps的早期样品，但我们怀疑这些样品是否能大量生产，以满足下一代游戏和人工智能GPU的需求。GDDR7显存的能效也将提高20%，考虑到显存对高端GPU的巨大功耗，这无疑是件好事。据悉，三星GDDR7DRAM将包括专门针对高速工作负载进行优化的技术，还将提供低工作电压选项，专为笔记本电脑等注重功耗的应用而设计。在散热方面，新的内存标准将采用具有高导热性的环氧树脂模塑化合物（EMC），可将热阻降低多达70%。早在8月份就有报道称，三星向英伟达（NVIDIA）提供了GDDR7DRAM样品，用于下一代游戏显卡的早期评估。用于下一代CAMM2模块的三星LPDDR5x简化移动设计为了处理数据密集型任务，当今的人工智能技术正朝着在云和边缘设备之间分配和分配工作负载的混合模式发展。因此，三星推出了一系列内存解决方案，支持边缘设备的高性能、大容量、低功耗和小外形尺寸。除了业界首款7.5GbpsLPDDR5XCAMM2（有望真正改变下一代PC和笔记本电脑DRAM市场的游戏规则）之外，该公司还展示了9.6GbpsLPDDR5XDRAM、专用于设备上人工智能的LLWDRAM、下一代通用闪存（UFS）以及用于PC的大容量四级单元（QLC）固态硬盘BM9C1。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391385.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1391385.htm

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备，每个设备的数据传输速率为9.2GT/s，峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构，计算性能与H100相同。同时，它配备了141GBHBM3E内存，带宽达4.8TB/s，比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β（1-beta）工艺技术生产其HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示："美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

三星积极推进第五代HBM3e 传输速度高达1.228 TB/s

三星积极推进第五代HBM3e传输速度高达1.228TB/s同时“Shinebolt”还采用了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本使用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。据悉，HBM（HighBandwidthMemory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3e是HBM3的扩展（Extended）版本。HBM被认为是人工智能时代的新一代DRAM。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390965.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390965.htm

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s 秒传百部电影

三星交付HBM3E内存样品：带宽达1.2TB/s秒传百部电影HBMDRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，其中HBM3E是HBM3的扩展版本。据相关人士透露，三星已经开始向客户提供Shinebolt样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外，三星还将很快完成12层36GB产品的开发。与HBM3相比，Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）提升了约50%，可达1.228TB/S。相当于在1秒钟内传输了230部FHD高清电影（每部容量5GB）HBM的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM生产之初就一直的采用是热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而其老对手SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然，这二者孰优孰劣还是要交给市场来评判。由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。其中最主要的就是加速开发可能改变HBM规则的“混合连接”工艺。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1390807.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1390807.htm