通用 DRAM 需求尚未恢复 三星和 SK 海力士相关工厂开工率 80%-90%

通用DRAM需求尚未恢复三星和SK海力士相关工厂开工率80%-90%据调查，通用DRAM的恢复趋势不及NAND闪存。目前三星电子和SK海力士的通用DRAM厂开工率为80%-90%，较今年年初的70%-80%小幅增加，但尚未达到“全面启动”水平；供应仍然比需求占优势，主要原因在于智能手机、PC、服务器市场增长势头放缓，未能带动需求。与之形成鲜明对比的是NAND闪存，随着AI带动eSSD等需求恢复，三星、SK海力士的相关工厂在二季度已转为全面启动机制，铠侠近期开工率也达到了100%。

三星和 SK 海力士正在提高 DRAM 产量 将恢复至削减前水平

三星和SK海力士正在提高DRAM产量将恢复至削减前水平随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。Omdia表示，三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入量调升至60万片，环比增长13%；预计下半年将DRAM晶圆投入量增加至66万片，DRAM产量恢复到削减前的水平。SK海力士将把每月平均DRAM晶圆投入量从第一季度的39万片增加到第二季度的41万片；下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK海力士加强DRAM先进工艺份额在去年内存半导体低迷之后，三星电子和SK海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对DRAM的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM和DDR5的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和SK海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向10nm第四代(1a)和第五代(1b)节点的过渡，以生产HBM、DDR5和LPDDR5等高价值产品。但另一方面，由于NANDFlash存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。——

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK海力士、三星电子：整体DRAM生产线已超两成用于HBM内存https://www.ithome.com/0/767/877.htm———2024-05-132024-05-022024-04-222024-03-212024-03-142024-03-072024-03-012024-02-232024-02-13

SK海力士和三星见证HBM3需求激增 2025年前所有产能已排满

SK海力士和三星见证HBM3需求激增2025年前所有产能已排满英伟达（NVIDIA）H100等人工智能GPU需求的快速增长对HBM需求产生了相应的影响，这也是三星和SKHynix等内存制造商抓住这一机遇的原因。SK海力士在第三季度财报中透露，明年的HBM订单已全部排满，三星阵营的情况也类似。HBM（HighBandwidthMemory，高带宽内存）是人工智能GPU的重要组成部分，可提供高传输速度、更快的带宽和更大的内存容量，这也是各家存储技术公司将开发重点转向这一品类的原因。SK海力士目前在HBM行业占据了绝大部分份额，不过，三星等竞争对手正在迅速迎头赶上。SKhynix最近成功获得了英伟达（NVIDIA）和AMD的订单，并向英伟达和其他潜在客户提供了下一代HBM3E内存的样品。HBM3e的出现将标志着行业的新转变，因为该工艺有望带来巨大的性能提升，并可能在英伟达的BlackwellAIGPU和TeamRed的InstinctMI400中首次亮相。在开发现有设备以应对围绕对HBM3e的高度关注时，内存制造商正在迅速行动，而SKHynix的声明也证明了HBM3e对未来人工智能计算的重要性。SK海力士认为，在未来五年内，HBM产业可以增长60%-80%，公司的市场份额将保持主导地位。就三星等竞争对手而言情况同样很乐观。该公司最近发布了"Shinebolt"HBM3e内存，承诺比竞品的速度更快。人工智能的迅猛发展无疑促进了人工智能行业的快速发展，为其他企业的进入创造了机会。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1394401.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1394401.htm