三星公布芯片技术路线图：到 2028 年 AI 相关客户名单将扩大五倍 收入将增长九倍

三星公布芯片技术路线图：到2028年AI相关客户名单将扩大五倍收入将增长九倍6月13日，三星公布芯片技术路线图，以赢得AI业务。根据三星预测，到2028年其AI相关客户名单将扩大五倍，收入将增长九倍，该公司公布了对未来人工智能相关芯片的一系列布局。三星推出的先进工艺采用的背面供电网络技术将电源轨放置在硅晶圆的背面，该公司表示，与第一代2纳米工艺相比，这种技术提高了功耗、性能的同时，显著降低了电压。三星还表示，其提供逻辑、内存和先进封装的能力，将有助于公司赢得更多人工智能相关芯片的外包制造订单。公司还公布了基于AI设计的GAA处理器（(Gate-All-Around,全环绕栅极)，其中第二代3纳米的GGA计划在今年下半年量产，并在其即将推出的2纳米工艺中提供GAA。该公司还确认其1.4纳米的准备工作进展顺利，目标有望在2027年实现量产。

三星启动五年芯片发展计划：产能扩大3倍 2027年推出1.4纳米工艺

三星启动五年芯片发展计划：产能扩大3倍2027年推出1.4纳米工艺三星宣布了为期五年的发展计划，计划在2027年提高多种高端芯片的产能。通过该发展计划，三星希望从半导体巨头台积电中夺回市场。三星电子于10月3日在美国加州硅谷召开了“三星晶圆代工论坛&SAFE论坛”，在随后发布的新闻稿中，三星承诺到2027年将先进节点的产能扩大“三倍以上”。该公司还计划在2025年推出2纳米工艺，到2027年推出1.4纳米工艺。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1323797.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1323797.htm

据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos

据传三星已启动代号为"Thetis"的2纳米芯片开发可能首先将其用于Exynos据报道，苹果公司首席运营官杰夫-威廉姆斯（JeffWilliams）最近访问了台湾，希望从台积电（TSMC）获得首批2纳米晶圆，Naver也传出这家韩国公司将开始开发自己的2纳米工艺，代号为"Thetis"。忒提斯是希腊神话中的海神，也是特洛伊战争英雄阿喀琉斯的母亲。三星之所以选择这个名字，可能是因为Thetis一词的词源来自于"世世代代"。此前有报道称，三星将于2025年开始量产2纳米GAA晶圆，预计其3纳米GAA技术将有三次迭代。第二代3纳米GAA节点据说将用于即将推出的Exynos2500，三星的目标是减少电流泄漏，提高这款芯片组的能效。据报道，随着"GateAllAround"技术被应用于2纳米光刻技术，三星可能会超越台积电的2纳米工艺。不幸的是，这家韩国代工厂面临的最大障碍一直是良品率。即使采用了3纳米GAA技术，三星的良品率也只有可怜的20%，尽管它似乎已设法将这一数字提高到原来的三倍，但仍然落后于台积电。三星正在加快量产尖端硅片的步伐，因为它希望在未来发布的旗舰智能手机中保持较高的Exynos芯片组采用率。这将有助于减少三星对高通公司的依赖，降低其芯片组支出，由于三星推出的GalaxyS23系列完全采用骁龙8Gen2，导致其2023年的芯片支出高达70亿美元。在2024年第一季度的财务报告中，三星的营业利润比2023年第一季度猛增了933%，这表明该公司正在优化其各个业务部门，而这种做法对于提高其2nmGAA工艺的良品率大有裨益。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431924.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431924.htm

三星3nm GAA良品率被曝低至20% 旨在通过与美国公司合作提高产量

三星3nmGAA良品率被曝低至20%旨在通过与美国公司合作提高产量据称美国公司SiliconFrontlineTechnology可以运用成熟的方法，帮助三星提高其3纳米GAA的良品率。之前三星电子的4纳米架构的一系列问题迫使高通转向台积电，导致其订单流失。现在，据《商业时报》报道，与5纳米工艺相比，本应带来巨大改进的3纳米GAA节点也在经历着同样的挫折。为了克服众多障碍，据说三星已经与美国的SiliconFrontlineTechnology公司合作，以提高其3纳米GAA的良率。至于为什么SiliconFrontlineTechnology似乎是理想的合作伙伴，据说该公司已经采用了水法鉴定和防止静电放电技术来提高晶圆产量的方法。据报道，静电放电，即ESD是造成晶圆缺陷的主要原因，这可以解释三星3纳米GAA架构的低产量。到目前为止，这家韩国巨头通过采用其合作伙伴使用的技术，正在见证积极的成果，但实际的好处将在未来几个月看到，届时多个客户要么排队体验这种尖端的制造工艺，要么坚持使用台积电。目前，三星没有完成智能手机制造商的订单，早些时候有报道称，三星将向加密货币矿工运送最初一批产品。除此之外，它还有可能重新与高通公司建立合作关系，因为后者很可能在未来的芯片组中使用与台积电的双重采购方式。然而，如果三星继续看到其3纳米GAA芯片的低收益率，那么许多客户可能会对该公司的订单望而却步。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1333463.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1333463.htm

三星将斥资740亿美元扩大韩国半导体产能

三星将斥资740亿美元扩大韩国半导体产能韩国芯片制造商三星电子（SamsungElectronics）预计将投资约740亿美元，扩大在韩国的半导体产能，以满足全球长期增长的需求。8月23日，知情人士透露，三星电子已通知当地政府，计划在其平泽芯片工厂（Pyeongtaekcomplex）运营6条生产线。据悉，三星平泽工厂是全球最大的半导体工厂。知情人士透露，三星电子最近开始平泽工厂第4条生产线的初步建设，预计将于下半年完成第3条生产线的建设。该公司可能会花费约100万亿韩元（合743亿美元）增加三条新的生产线，而通常建造一条生产线的成本约为30万亿韩元。三星电子副董事长李在镕（JayY．Lee）曾公布该公司的目标——到2030年成为全球最大的系统半导体制造商。知情人士表示，“尽管今年的芯片需求受到电子、信息技术行业放缓的打击，但预计三星电子将扩大生产设施，因为全球半导体市场将在中长期内逐步增长。”上周，三星电子宣布计划到2028年投入20万亿韩元建设先进的半导体研发中心，以在与台积电等竞争对手日益激烈的竞争中确保竞争优势。三星电子预计将在平泽芯片工厂使用极紫外光刻（EUV）技术，生产业界最小的14纳米DRAM芯片。此外，该公司还将在此生产5纳米以下（包括5纳米）制程节点的系统半导体。所有生产过程都将通过智能控制系统实现自动化。三星电子去年在芯片设施上投入了43.6万亿韩元，较2018年的23.7万亿韩元增加了近一倍，预计该公司将继续增加对半导体业务的投资。不过，该公司尚未公布详细的投资计划。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1308169.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1308169.htm

三星：公司今年 HBM 产能将是去年的 2.9 倍 高于此前预期

三星：公司今年HBM产能将是去年的2.9倍高于此前预期日前在全球芯片制造商聚会Memcon2024上，三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管HwangSang-joong表示，预计该公司将增加HBM芯片产量，今年产量是去年的2.9倍。三星今年年初在CES2024上给出的预测为2.5倍。三星预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍；到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。