联发科天玑7200-Ultra发布 采用台积电第二代4nm工艺

联发科天玑7200-Ultra发布采用台积电第二代4nm工艺同时，搭载两亿像素定制14位HDR-ISP影像处理器Imagiq765，官方称，高性能ISP为用户提供更快、更清晰的拍照和视频录制体验，搭载天玑7200-Ultra芯片的终端将于近期与大家见面。值得一提的是，小米公司王腾昨日发文，称会在今天透露一点事情，结合刚发布的天玑7200-Ultra芯片，王腾有可能今天会宣布Redmi拿下这款芯片的首发，首发机型或为RedmiNote13系列。目前，RedmiNote13系列已三证齐全，只需等待官宣和发布会，就能上市了。爆料称，RedmiNote13系列全系标配1.5K高分屏，搭载2亿像素的三星ISOCELLHPX主摄，两款低配版为5120mAh电池+67W有线快充，高配版是5000mAh+120W有线快充。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1382955.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1382955.htm

NVIDIA 4nm RTX40显卡将有750亿晶体管 2.65倍于8nm RTX30

NVIDIA4nmRTX40显卡将有750亿晶体管2.65倍于8nmRTX30NVIDIARTX40系列就要来了，不出意外会用上台积电N44nm工艺，在技术上可比三星N88nm强太多了。权威博主kopite7kimi曝出最新猛料，RTX40系列的大核心AD102，要用于RTX4090、RTX4090Ti的，将会集成多达750亿个晶体管！PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1315663.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1315663.htm

清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管：等效 0.34nm

清华大学集成电路学院团队首次实现亚1nm栅极长度晶体管：等效0.34nm上述相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”（）为题，于3月10日在线发表在国际顶级学术期刊《自然》（Nature）上。论文通讯作者为清华大学集成电路学院任天令教授和田禾副教授，清华大学集成电路学院2018级博士生吴凡、田禾副教授、2019级博士生沈阳为共同第一作者，其他参加研究的作者包括清华大学集成电路学院2020级硕士生侯展、2018级硕士生任杰、2022级博士生苟广洋、杨轶副教授和华东师范大学通信与电子工程学院孙亚宾副教授。任天令教授团队长期致力于二维材料器件技术研究，从材料、器件结构、工艺、系统集成等多层次实现创新突破，先后在《自然》（Nature）、《自然・电子》（NatureElectronics）、《自然・通讯》（NatureCommunications）等知名期刊以及国际电子器件会议（IEDM）等领域内顶级国际学术会议上发表多篇论文。清华大学的研究人员得到了国家自然科学基金委、科技部重点研发计划、北京市自然基金委、北京信息科学与技术国家研究中心等的支持。

宾夕法尼亚大学研发出全新铁电晶体管芯片：制程直奔0.7nm 更强更省电

宾夕法尼亚大学研发出全新铁电晶体管芯片：制程直奔0.7nm更强更省电铁电场效应晶体管（FE-FETs）跟传统的晶体管不同，这种材料具有非易失性，也就是断电之后数据不会清空，具有存储密度高、速度快、能耗低等多种优势，是下一代芯片结构的重要研究方向之一。这次的研究是宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的电气与系统工程系（ESE）副教授DeepJariwala和他实验室的博士候选人Kwan-HoKim设计完成的，论文也发表在了《自然纳米技术》杂志上。他们开发的晶体管结构是在铁电材料氮化铝钪（AlScN）上覆盖了二硫化钼（MoS2），后者是一种二维半导体，该研究首次将这两种材料结合在一起，并且在计算及存储两方面都展示出了优势。其中AlScN材料厚度为20nm，MoS2更是只有0.7nm，本以为不能承受前者注入的电荷量，最终实验取得了成功，证明了这两者结合之后可以良好运行，不仅可以可靠地存储数据，而且性能更好，还更节能。不过这项研究距离真正商用化还有距离，团队下一步工作就是进一步小型化晶体管结构。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1370923.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1370923.htm