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美光推出采用单片32Gb颗粒的128 GB DDR5-8000 RDIMM

美光推出采用单片32Gb颗粒的128GBDDR5-8000RDIMM美光公司最近开始利用其经过验证的成熟1β技术制造的单片32GbDDR5颗粒。与标准的JEDEC规格相比,这种新芯片的位密度提高了45%以上,能够达到8000MT/s,同时还能以更积极的时序延迟运行。该公司声称,与竞争对手的3DSTSV产品相比,它的能效提高了24%,更快的运行速度也有助于加快人工智能训练时间。避免使用3DSTSV可以让美光更好地优化数据输入缓冲器和关键I/O电路,同时减少数据线上的引脚电容。这些都有助于降低功耗和提高速度。得益于CMOS工艺的进步和阵列效率的提高,美光的单片芯片密度每3年左右就会翻一番。该公司认为,随着技术的不断进步,未来实现48Gb和64Gb单片机的前景十分明朗。美光公司还宣称,其1β节点已领先于竞争对手实现量产,并在公司历史上实现了最快的良率成熟。采用1βDRAM的双芯片封装和高外形尺寸(TFF)模块有望在不久的将来实现1TB模块。在宣布采用1β技术的128GBRDIMM的同时,该公司还为即将推出的产品制定了路线图。HDM和GDDR7预计将主导对带宽要求较高的应用,而RDIMM、MCRDIMM和CXL解决方案则将用于需要大容量的系统。LPDDR5X和LPCAMM2解决方案最高可达192GB,预计最早将于2026年出现在功耗敏感型系统中。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1395745.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1395745.htm

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32GB Simple Mobile Apple iPhone SE Prepaid Smartphone

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SK Hynix实现爆炸式财务增长 宣布推出64GB容量的32Gb DDR5 DRAM

SKHynix实现爆炸式财务增长宣布推出64GB容量的32GbDDR5DRAM该公司成功地从总收入中获取了23%的利润,这被认为是继2018年第一季度该公司业绩之后的第二高利润。SK海力士认为,该公司终于迎来了经济反弹,进入了持续主导市场的时代。此外,SK海力士还指出,他们的季度营业利润收入大幅增长了734%,这完全归功于人工智能对他们的巨大推动作用。该公司指出,在接下来的几个月里,人工智能部门将催化其财务业绩,而随着DRAM行业的复苏,该公司也将收回失去的利润。SKHynix还对其HBM3E供应表现出极大的乐观,声称已收到来自行业客户的大量兴趣。主要亮点包括:3月,开始量产/供应1bnmHBM3E根据客户需求增加HBM3E的供应量利用提高的生产能力扩大客户群与台积电签署开发HBM4和合作开发下一代封装技术的谅解备忘录128GB+模块的强劲销售促进了DDR5的销售将推出1bnm32GbDDR5产品以支持高密度SVDRAM需求计划在24年内推出PCIeGen5cSSD,供人工智能PC采用在谈到未来工艺时,SKHynix还宣布其1bnm32GbDDR5内存已步入正轨,将于今年内亮相,这意味着单条DIMM可实现64GB的容量,企业级产品更是可通过新技术获得128GB的容量。进入人工智能PC时代后,内存将在处理能力方面发挥至关重要的作用,韩国巨头希望充分利用这一点,与三星等公司一起采用第五代10纳米技术。人工智能又一次成功地将另一家公司从不断下滑的财务业绩中拯救出来,SK海力士看起来已经准备好在未来占据主导地位,尤其是凭借其与台积电和英伟达(NVIDIA)等领先企业的密切关系。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428737.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1428737.htm

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三星发布32Gb DDR5 DRAM 为最高128GB容量内存模块打好基础

三星发布32GbDDR5DRAM为最高128GB容量内存模块打好基础三星电子今天宣布,该公司采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出业界首款容量最高的32千兆位(Gb)DDR5DRAM。此前,三星已于2023年5月开始量产其12纳米级16GbDDR5DRAM。它巩固了三星在下一代DRAM技术领域的领先地位,并预示着大容量内存产品阵容将翻开新的篇章。三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示:"凭借我们的12nm级32GbDRAM,我们已经获得了可实现高达1TB的DRAM模块的解决方案,使我们能够在人工智能(AI)和大数据时代满足对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案,打破内存技术的界限。"自1983年开发出第一款64千位(Kb)DRAM以来,三星在过去40年间成功地将DRAM容量提高了50万倍。三星最新开发的内存产品采用尖端工艺和技术,提高了集成密度并优化了设计,拥有业界最高的单个DRAM芯片容量,在相同封装尺寸下,其容量是16GbDDR5DRAM的两倍。以前,使用16GbDRAM制造的DDR5128GBDRAM模块需要采用硅通孔(TSV)工艺。然而,通过使用三星的32GbDRAM,现在可以在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块,与使用16GbDRAM的128GB模块相比,功耗降低了约10%。这一技术突破使该产品可以成为数据中心等注重能效的企业的解决方案。以12nm级32GbDDR5DRAM为基础,三星计划继续扩大其大容量DRAM产品线,通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户供应12纳米级32GbDRAM,该产品还将在三星与其他关键行业参与者的持续合作中发挥作用。全新12nm级32GbDDR5DRAM计划于今年年底开始量产。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1380963.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1380963.htm

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