JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度 在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈

JEDEC应制造商要求放宽HBM4厚度 在现有粘合技术范围内实现16-Hi堆栈 HBM4 是内存领域的下一个大事件，每家公司都参与了该内存类型的最有效开发，因为它最终将为下一代市场的成功奠定基础。据 ZDNet Korea报道，为了帮助制造商，JEDEC 决定将 12 层和 16 层 HBM4 堆栈的 HBM4 封装厚度降低到 775 微米，因为更高的厚度水平会带来复杂性，而且与该工艺相关的需求也非常值得期待。此外，据说制造商以前曾采用混合键合工艺这种较新的封装技术来减少封装厚度，因为这种工艺使用板载芯片和晶片直接键合。不过，由于 HBM4 内存将是一项新技术，预计采用混合键合技术将导致整体价格上涨，这意味着下一代产品将更加昂贵，但混合键合技术的使用还不确定，因为 HBM 制造商可能会利用 JEDEC 做出的"放宽"。至于我们何时能看到基于HBM4的产品亮相，SK hynix计划在2026年实现量产，最初的样品预计每堆栈容量高达36 GB。众所周知，HBM4 将彻底改变人工智能市场的计算性能，因为这种内存类型将采用"革命性"的板载芯片配置，把逻辑和半导体结合到单个封装中。由于台积电和 SK hynix 最近建立了联盟，HBM 和半导体市场有望在合作的环境中发展。 ... PC版： 手机版：

三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备

三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备 就三星 3D 封装的细节而言，它是 2.5D 方法的后继者，这一次，这家韩国巨头不再使用硅插层来连接 HBM 和 GPU，而是决定通过将多个芯片堆叠在一起来实现垂直整合。三星计划将其称为SAINT（三星高级互连技术）平台，并将封装分为三种类型：SAINT-S、SAINT-L 和 SAINT-D。它们都处理不同的芯片，如 SRAM、Logic 和 DRAM。与传统的 2.5D 相比，三星的 3D 封装技术具有多项优势。通过垂直堆叠，该公司成功地缩小了芯片之间的距离，从而加快了数据传输的速度。垂直堆叠还能减少碳足迹，这也是广泛采用该技术的另一个好处。韩国媒体称，三星在加利福尼亚州圣何塞举行的"三星代工论坛 2024"上展示了这项技术。这是该公司首次向公众展示这项技术，因为英伟达（NVIDIA）和英伟达（AMD）宣布将推出各自的下一代人工智能硬件。由于 3D 封装将与 HBM4 一起使用，预计三星的服务将与英伟达的 Rubin架构和 AMD 的Instinct MI400 AI 加速器一起亮相。三星还计划到 2027 年发布"一体化异构集成"技术。这项技术将实现统一的人工智能封装，集成商无需处理单独的封装技术。在苹果之后，英特尔在其轻薄设计（如 Lunar Lake CPU）中采用了非常以 SoC 为中心的方法，而 AMD 也在垂直堆叠领域非常活跃，其独特的 HBM、MCD 和 3D V-Cache 堆栈横跨多个芯片，可以广泛满足从消费市场到企业市场的各种客户需求。 ... PC版： 手机版：

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

三星计划在 HBM4 上引入 3D 封装技术

三星计划在 HBM4 上引入 3D 封装技术 现在 HBM 是用2.5D封装，HBM和GPU在同一平面，挨得很近，用硅中介层连接； 3D封装是把HBM直接叠在GPU上，就像 AMD 3D V-Cache 那样。

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU 3nm工艺配下代HBM4内存

NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU 3nm工艺配下代HBM4内存 NVIDIA现有的高性能GPU架构代号“Blackwell”，已经投产，相关产品今年陆续上市，包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游戏的RTX 50系列。2025年将看到“Blackwell Ultra”，自然是升级版本，但具体情况没有说。2026年就是全新的下一代“Rubin”，命名源于美国女天文学家Vera Rubin(薇拉·鲁宾)，搭配下一代HBM4高带宽内存，8堆栈。根据曝料，Rubin架构首款产品为R100，采用台积电3nm EUV制造工艺，四重曝光技术，CoWoS-L封装，预计2025年第四季度投产。2027年则是升级版的“Rubin Ultra”，HBM4内存升级为12堆栈，容量更大，性能更高。CPU方面下代架构代号“Vera”没错，用一个名字同时覆盖GPU、CPU，真正二合一。Vera CPU、Rubin GPU组成新一代超级芯片也在规划之中，将采用第六代NVLink互连总线，带宽高达3.6TB/s。此外，NVIDIA还有新一代数据中心网卡CX9 SuperNIC，最高带宽可达1600Gbps，也就是160万兆，并搭配新的InfiniBand/以太网交换机X1600。 ... PC版： 手机版：

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作 回顾过往，三星自2015年起便在DRAM部门内部深耕HBM技术的蓝海，不仅设立了专项团队，还成立了特别工作组，持续推动技术创新与突破。此次组织架构的升级，无疑是对过往努力的深化与加强，彰显了三星对HBM技术未来发展的坚定信心。为了加速抢占高附加值DRAM市场的制高点，三星展现出了惊人的研发速度与执行力。今年年初，三星便宣布成功研发出HBM3E 12H DRAM，并紧随其后在四月实现了HBM3E 8H DRAM的量产，这一系列成就不仅体现了三星的技术实力，也为其在HBM领域的领先地位奠定了坚实基础。值得注意的是，三星与英伟达等行业巨头的合作也在不断深入。自去年起，三星便积极向英伟达提供HBM3E样品进行严苛验证，涵盖8层与12层堆叠技术，虽历经挑战但进展显著，预计将在今年第三季度末迎来部分验证工作的圆满完成，这一合作无疑将加速HBM技术在高端计算领域的普及与应用。此外，三星还通过官方渠道分享了HBM产品的最新研发进展，并明确透露了HBM4技术的研发时间表，即计划于2025年首次亮相。这一消息不仅引发了业界的广泛关注，也进一步激发了市场对未来高性能计算、人工智能等领域技术革新的期待。更有传言指出，三星正考虑在HBM4中引入革命性的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，以优化高温环境下的热特性，进一步提升产品的稳定性和可靠性，这将是对现有技术边界的又一次勇敢探索。 ... PC版： 手机版：