华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术

华为和中芯国际为 5 纳米生产准备四重半导体图案化技术 在 7 纳米工艺中，中芯国际最有可能使用自对准双图案技术（SADP）和 DUV 工具，但为了提高 5 纳米节点的密度，需要将 SAQP 提高一倍。在半导体制造过程中，光刻工具需要多次转动来蚀刻硅晶片上的设计。特别是随着更小的节点对密度的要求越来越高，使用 DUV 工具蚀刻 10 纳米以下的设计变得越来越具有挑战性。这就是 ASML 的极紫外光 (EUV) 工具发挥作用的地方。使用 EUV，光刻打印机的波长比 DUV 小 14 倍，仅为 13.5 nm，而 ArF 浸透 DUV 系统的波长为 193 nm。这就意味着，如果没有 EUV，中芯国际就必须寻找 SAQP 等替代方案来提高节点密度，结果会增加复杂性，并可能降低产量。例如，英特尔曾试图在其首批 10 纳米节点中使用 SAQP，以减少对 EUV 的依赖，结果造成了一系列延误和并发症，最终将英特尔本身也推向了 EUV。虽然华为和中芯国际可能会为 SAQP 开发出更高效的解决方案，但由于普通 DUV 无法跟上半导体节点密度的不断提高，因此使用 EUV 已迫在眉睫。鉴于 ASML 无法将其 EUV 设备运到中国，据称华为正在开发自己的 EUV 设备，但可能还需要几年时间才能展示出来。 ... PC版： 手机版：

华为秘密建设半导体制造设施以绕过美国制裁

华为秘密建设半导体制造设施以绕过美国制裁 8月22日（路透社）据彭博社周二报道，总部位于华盛顿的半导体协会警告称，华为技术有限公司正在中国各地建设一系列秘密的半导体制造设施，以绕过美国的制裁。 半导体行业协会称，这家中国科技巨头去年开始涉足芯片生产，并从政府获得了约 300 亿美元的国家资金。该协会补充说，华为已经收购了至少两家现有工厂，并正在建设另外三家工厂。 出于安全考虑，美国商务部在 2019 年将华为列入出口管制名单。华为否认自己构成安全风险。 据彭博社的报道，如果华为像半导体行业协会所说的那样，正在使用其他公司的名义建设这些设施，那么它可能能够绕过美国政府的限制，间接购买美国的芯片制造设备。 华为和半导体工业协会没有立即回应路透社的置评请求。 华为已经被美国列入贸易黑名单，限制大多数供应商向该公司出售商品和技术，除非他们获得许可。官方一直在加强控制措施，以削减该公司购买或设计大多数产品所需的半导体芯片的能力。

美国正在考虑对华为在中国的半导体供应网络实施制裁

美国正在考虑对华为在中国的半导体供应网络实施制裁 华盛顿可能列入黑名单的大多数中国实体此前都被认定为华为收购或正在建设的芯片制造设施。所有这些公司都可能被列入美国实体清单，这意味着美国公司要与它们开展业务，需要获得特别许可。消息人士称，除了所有这些实际生产芯片的制造商外，可能还会增加两家公司，它们被认为充当华为的代理人，帮助获得制造 5G 调制解调器和技术的受限设备。此前有报道称，中国政府正在大力投资华为，使其成为能与英特尔和高通等巨头竞争的芯片剧透。中芯国际成功地用自己的 7 纳米 FinFET 工艺在三年内制造出了麒麟 9000S 芯片，而不是一些美国专家预测的五年。 ... PC版： 手机版：

中国企业在生产用于人工智能芯片组的高带宽内存方面取得进展

中国企业在生产用于人工智能芯片组的高带宽内存方面取得进展 据消息人士和文件显示，两家中国芯片制造商正处于生产用于人工智能芯片组的高带宽存储器 (HBM) 半导体的早期阶段。据三位知情人士透露，中国最大的 DRAM 芯片制造商长鑫存储已与芯片封装和测试公司通富微电子合作开发了 HBM 芯片样品。其中两位知情人士表示，这些芯片正在向客户展示。企查查文件显示，武汉新芯正在建设一座每月可生产3,000片12英寸 HBM 晶圆的工厂，并计划于今年二月开始建设。两位知情人士表示，长鑫存储和其他中国芯片公司还与韩国和日本半导体设备公司定期举行会议，购买开发 HBM 的工具。知情人士透露，华为计划在2026年前与其他国内公司合作生产 HBM2 芯片。

三星将于今年开始试生产玻璃基板半导体

三星将于今年开始试生产玻璃基板半导体 访问：Saily - 使用eSIM实现手机全球数据漫游 安全可靠 源自NordVPN 韩国媒体ET News 报道称，三星计划在今年年底前为其下一代封装技术建造一条"试验性"生产线，竣工日期定在 9 月。三星的玻璃基板概念最初是在 2024 年的美国消费电子展（CES 2024）上被推向市场的，当时该公司将其作为未来愿景进行了展示。尽管这些新型半导体还处于研发的雏形阶段，但这家韩国巨头已经决定，现在可能是投入生产的最佳时机，如果他们的雄心成真，就有可能超越竞争对手。玻璃基板半导体类型有许多优点，例如封装强度更高，可确保更长的耐用性和可靠性；由于玻璃通常比有机材料薄得多，因此互连密度更高，可在单个封装中集成多个晶体管。据说，它克服了传统方法的缺陷，为采用玻璃基板的计算芯片开辟了新的创新浪潮。三星在玻璃基板方面的影响力有多大，我们将拭目以待，因为英特尔在这一特定细分市场的发展历史悠久，很可能是该技术的先驱。不过，三星计划在 2026 年之前生产玻璃基板，这可能会使其在市场时机的把握上处于领先地位。 ... PC版： 手机版：

长鑫存储准备生产HBM内存 采购设备已获美国批准

长鑫存储准备生产HBM内存 采购设备已获美国批准 这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。消息人士称，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美国设备供应商就获得了美国政府的许可，可以向长鑫出口HBM制造设备。考虑到HBM内存需要先进、复杂的制造和封装技术，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。目前，长鑫已经在合肥有了一座DRAM内存工厂，正在筹钱建设第二座，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造HBM。暂时还不清楚长鑫要生产的HBM是第几代，可能是HBM3，而国际上已经有了更先进的HBM3E，SK海力士还计划在2026年抢先投产HBM4。根据规划，HBM4将抛弃用了将近十年的1024-bit位宽，首次升级到2048-bit位宽，并有望堆叠更多层级，从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。 ... PC版： 手机版：