SK 海力士全球最快 LPDDR5T，已和高通最新骁龙 8 Gen 3 完成验证

SK 海力士全球最快 LPDDR5T，已和高通最新骁龙 8 Gen 3 完成验证 SK 海力士 表示，已获得 LPDDR5T 与高通最新 Snapdragon 8 Gen 3 行动平台相容的验证，这是业界首例由美国公司验证的产品。LPDDR5T 为 SK 海力士 新开发版本，是第 8 代 LPDDR6 之前的升级产品。 自今年 1 月开发出 LPDDR5T DRAM 后，SK 海力士与高通进行相容性的验证合作，这个过程完成意味著将与 Snapdragon 8 Gen 3 相容。 随著高通及其他主要行动 AP（应用处理器）供应商的验证过程顺利完成，SK 海力士预计 LPDDR5T 应用范围将迅速扩大。此外，SK 海力士还计划提供一款 16GB 容量产品，由多个单个 LPDDR5T 晶片组成，其数据处理速度为每秒 77GB，相当于一秒内处理达 15 部全高清电影。

SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓

SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓 华尔街见闻从供应链独家获悉，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品，均有15%-20%的提价。供应链人士告诉华尔街见闻，“海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。”

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线

SK海力士将展示GDDR7、48GB 16层HBM3E和LPDDR5T-10533内存产品线 首先，SK 海力士将是继三星之后第二家展示 GDDR7 存储器芯片的公司。SK Hynix 芯片的速度为 35.4 Gbps，低于三星展示的 37 Gbps，但密度同样为 16 Gbit。这种密度允许在 256 位内存总线上部署 16 GB 视频内存。并不是所有的下一代 GPU 都能达到 37 Gbps 的最高速度，有些可能会以更低的显存速度运行，SK 海力士的产品线中也有合适的选择。与三星一样，SK Hynix 也采用了 PAM3 I/O 信号和专有的低功耗架构（不过该公司没有详细说明是否与三星芯片的四种低速时钟状态类似）。GDDR7 势必会在下一代游戏和专业视觉领域的显卡中占据主导地位；然而，人工智能 HPC 处理器市场仍将主要依靠 HBM3E。SK Hynix 在这方面进行了创新，并将展示全新的 16 层 48 GB（384 Gbit）HBM3E 堆栈设计，单个堆栈的速度可达 1280 GB/s。拥有四个这样堆栈的处理器将拥有 192 GB 内存，带宽为 5.12 TB/s。该堆栈采用了全功耗 TSV（硅通孔）设计和 6 相 RDQS（读取数据队列选通）方案，以优化 TSV 面积。最后，SK Hynix 还将在会上首次演示其面向智能手机、平板电脑和轻薄笔记本电脑的 LPDDR5T（LPDDR5 Turbo）内存标准。由于采用了专有的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，该芯片可实现每引脚 10.5 Gb/s 的数据传输速率和 1.05 V 的 DRAM 电压。 ... PC版： 手机版：

在人工智能热潮中 SK海力士酝酿“差异化”HBM内存

在人工智能热潮中 SK海力士酝酿“差异化”HBM内存 SK Hynix 高级封装开发主管 Hoyoung Son 以副总裁的身份表示："开发客户专用的人工智能存储器需要一种新方法，因为技术的灵活性和可扩展性变得至关重要。"在性能方面，采用 1024 位接口的 HBM 内存发展相当迅速：从 2014 - 2015 年的 1 GT/s 数据传输速率开始，到最近推出的 HBM3E 内存设备，其数据传输速率已达到 9.2 GT/s - 10 GT/s。随着 HBM4 的推出，内存将过渡到 2048 位接口，这将确保带宽比 HBM3E 有稳步提升。但这位副总裁表示，有些客户可能会受益于基于 HBM 的差异化（或半定制）解决方案。Hoyoung Son 在接受BusinessKorea 采访时说："为了实现多样化的人工智能，人工智能存储器的特性也需要变得更加多样化。我们的目标是拥有能够应对这些变化的各种先进封装技术。我们计划提供能够满足任何客户需求的差异化解决方案。"由于采用 2048 位接口，根据我们从有关即将推出的标准的官方和非官方信息中了解到的情况，许多（如果不是绝大多数）HBM4 解决方案很可能是定制的，或者至少是半定制的。一些客户可能希望继续使用内插器（但这一次内插器将变得非常昂贵），而另一些客户则倾向于使用直接接合技术将 HBM4 模块直接安装在逻辑芯片上，但这种技术也很昂贵。生产差异化的 HBM 产品需要复杂的封装技术，包括（但肯定不限于）SK Hynix 的高级大规模回流模塑底部填充（MR-RUF）技术。鉴于该公司在 HBM 方面的丰富经验，它很可能会推出其他产品，尤其是差异化产品。Hoyoung Son说："要实现不同类型的人工智能，人工智能存储器的特性也需要更加多样化。我们的目标是拥有一系列先进的封装技术，以应对不断变化的技术环境。展望未来，我们计划提供差异化的解决方案，以满足所有客户的需求。" ... PC版： 手机版：