美光将在广岛建立新芯片厂 最快在2027年底投入运营

美光将在广岛建立新芯片厂 最快在2027年底投入运营 据透露，美国半导体公司美光科技计划在日本广岛县建造一家新的 DRAM 芯片工厂，目标是最快在 2027 年底投入运营。总投资估计在 6000 - 8000 亿日元之间。 新厂建设将于2026年初开始，该厂还将安装 EUV 系统。美光科技最初的目标是在 2024 年之前让工厂投入运营，但由于市场环境困难，目前似乎已经修改了计划。

美光计划部署纳米印刷技术，降低 DRAM 芯片生产成本

美光计划部署纳米印刷技术，降低 DRAM 芯片生产成本 美光公司表示由于光学系统本身性质，这些 DRAM 层的图案很难用光学光刻技术进行印刷，而纳米打印方式可以用更精细的方式打印出来，且鉴于纳米印刷技术应用成本是沉浸式光刻技术的五分之一，因此是非常不错的解决方案。

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。

美光可能获日本政府2000亿日元资助，用于升级芯片工厂

美光可能获日本政府2000亿日元资助，用于升级芯片工厂 知情人士表示，美光 科技将利用这些资金升级其在 日本 广岛 的工厂，安装来自 ASML 的先进 EUV 芯片制造设备，以生产下一代 DRAM 芯片。

印度计划在 18 个月内实现本土半导体生产

印度计划在 18 个月内实现本土半导体生产 据一位负责新德里 100 亿美元芯片制造计划的高级政府官员称，印度首家半导体组装厂将于下个月破土动工，并在 2024 年底前开始生产该国首批国产微芯片。 印度电子和信息技术部部长 Ashwini Vaishnaw 表示，美国半导体公司美光科技 (Micron Technology) 正在古吉拉特邦建立一家芯片组装和测试工厂，该项目将于 8 月开始建设，该项目耗资 27.5 亿美元，其中包括政府的支持。 来源：

DRAM三强展开激烈争夺 NVIDIA的HBM订单竞争趋向白热化

DRAM三强展开激烈争夺 NVIDIA的HBM订单竞争趋向白热化 “SK海力士、三星电子和美光中最先通过NVIDIA认证的公司将主导HBM3E市场。到目前为止，SK海力士领先，三星和美光紧随其后。” 知情人士表示。尽管内存制造商正在争夺全球首次量产HBM3E，但众所周知，实际上还没有一家公司通过NVIDIA的最终质量测试。最先通过质量测试的公司有望获胜。据半导体行业消息，美光公司26日（当地时间）在其网站上宣布，“我们已经开始量产HBM3E解决方案”，“它将安装在NVIDIA的‘H200’上，将于第二季度出货。” H200是NVIDIA的下一代AI加速器（专门用于大规模数据学习和推理的半导体封装）。这一天，美光强调其已在全球首次量产“HBM3E”。虽然SK海力士已经垄断了HBM3，但它似乎在下一代HBM市场领先一步，击败了SK海力士和三星电子。美光科技的声明震惊了半导体行业。这是因为美光没有具体透露是否通过了NVIDIA的质量测试。对于它是否通过了英伟达的质量测试，还是仅仅是初产的具有量产质量的产品，业内存在不同意见。事实上，要通过NVIDIA的质量测试并不容易。它必须在性能、发热和完整性方面获得高分。完成预处理后，HBM 执行 WLP（晶圆级封装），即堆叠和封装晶圆，直到进行硅通电极 (TSV) 工艺，而不将其切割成单独的半导体芯片。此外，由于HBM与各种半导体一起封装为AI加速器的性质，一旦出现缺陷，后处理就会变得复杂，因此质量测试的标准很高。即使在 HBM3 中，三星电子也多次未能通过质量测试。虽然样品产品已经量产，但尚未正式交付给NVIDIA。据此，有观点认为，跳过HBM3直接跳到HBM3E的美光不太可能突然通过NVIDIA的质量测试。有人说，使用“量产”一词就表明它通过了质量测试。通常情况下，一旦 NVIDIA 通过了最终的质量测试以检查产品是否可以交付，就会开始全面的提升（产量增加）。还有观点认为，美光声明纳入NVIDIA的“H200”就表明其已经通过了质量测试。另外，就美国而言，如果官方公告没有实际执行，可能会提起天文数字的损害赔偿诉讼，因此很多人认为公告是因为通过了质量测试而发布的。但由于没有直接认证，有人强烈反对该产品只是为了质量检测而量产。事实上，业内有传言称尚未有公司通过 HBM3E 的质量测试。一位半导体行业的官员表示：“通常，为了接受英伟达等客户公司的质量测试，初始产品会进行量产，并交付样品进行验证。”他补充道，“量产这个词可以即使没有通过质量测试也可以使用，因此美光正在进行质量测试。“我可能没有通过，”他说。另一方面，SK海力士已于1月份开始量产初期产品。据此，一些行业传言去年年底已经提供了样品，45天后的1月份通过了质量测试，并在2月份开始全面启动（增加产量）。不过，SK海力士的立场是，虽然HBM3E 8速确实已于去年1月开始量产，但尚未通过质量测试，计划在近期完成客户认证并开始量产。全面量产。因此，业界预测第二季度将开始增长。因此，如果美光尚未通过NVIDIA的质量测试，全球第一家量产的公司将是SK海力士。不过，即使美光通过了质量测试，实际良率是否会很高还不清楚。美光跳过了HBM3，直接开发了HBM3E，因此仍然缺乏后制程经验。为了生产HBM，需要开发晶圆的堆叠和封装技术，但美光仍然缺乏这方面的经验。分析认为，虽然美光和三星电子在某些技术方面可能领先，但在良率或稳定性方面没有一家公司能够超越SK海力士。此外，HBM的成品率较低，因为即使只有一个堆叠芯片有缺陷，整个封装也必须被丢弃。如果采用8层晶圆堆叠制作HBM，每层良率90%，那么简单计算一颗HBM芯片的良率就是90%乘以8的平方，最终良率只有43%。对于没有 HBM3 经验的美光来说，提高良率预计并不容易。因此，一些人预测，6月份将出现产量稳定和全面回升的情况。一位证券行业人士表示，“即使美光通过了质量测试，初期量产良率也已经触底。事实上，美光还计划将CAPA（产能）提高到每月40K（4万片晶圆）”到今年年底。“最近确认只有 2 万，”他说。同时，也有业内人士认为，美光突然宣布量产HBM3E是因为HBM短缺（供应不足）。HBM的使用量增加了一倍多，但这是因为SK海力士独自供应HBM不足。因此，有观点认为该公司可能已经开始与美国同行英伟达和美光联手。从英伟达的角度来看，它可以通过供应多元化获得增强谈判力的这张牌，也有人解读为它是否通过与美国公司之间的“分工”来制衡半导体强国韩国。一位业内人士表示，“英特尔最近宣布了要超越三星，夺取代工市场全球第二名的雄心”，并补充道，“微软（MS）已决定委托生产尖端芯片给英特尔，预计价格为 6.6万亿韩元。”“看来美国公司正在努力照顾自己的企业，”他说。 ... PC版： 手机版：