美光将在广岛建立新芯片厂 最快在2027年底投入运营

美光将在广岛建立新芯片厂 最快在2027年底投入运营 据透露，美国半导体公司美光科技计划在日本广岛县建造一家新的 DRAM 芯片工厂，目标是最快在 2027 年底投入运营。总投资估计在 6000 - 8000 亿日元之间。 新厂建设将于2026年初开始，该厂还将安装 EUV 系统。美光科技最初的目标是在 2024 年之前让工厂投入运营，但由于市场环境困难，目前似乎已经修改了计划。

美光计划部署纳米印刷技术，降低 DRAM 芯片生产成本

美光计划部署纳米印刷技术，降低 DRAM 芯片生产成本 美光公司表示由于光学系统本身性质，这些 DRAM 层的图案很难用光学光刻技术进行印刷，而纳米打印方式可以用更精细的方式打印出来，且鉴于纳米印刷技术应用成本是沉浸式光刻技术的五分之一，因此是非常不错的解决方案。

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。

美光可能获日本政府2000亿日元资助，用于升级芯片工厂

美光可能获日本政府2000亿日元资助，用于升级芯片工厂 知情人士表示，美光 科技将利用这些资金升级其在 日本 广岛 的工厂，安装来自 ASML 的先进 EUV 芯片制造设备，以生产下一代 DRAM 芯片。

印度计划在 18 个月内实现本土半导体生产

印度计划在 18 个月内实现本土半导体生产 据一位负责新德里 100 亿美元芯片制造计划的高级政府官员称，印度首家半导体组装厂将于下个月破土动工，并在 2024 年底前开始生产该国首批国产微芯片。 印度电子和信息技术部部长 Ashwini Vaishnaw 表示，美国半导体公司美光科技 (Micron Technology) 正在古吉拉特邦建立一家芯片组装和测试工厂，该项目将于 8 月开始建设，该项目耗资 27.5 亿美元，其中包括政府的支持。 来源：

美光计划投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营

美光计划投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营 美光原本早就有在日建厂的计划，最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前，由于市场状况不佳，这一建厂计划一度遭到搁置。而如今，随着芯片市场回暖，尤其是人工智能热潮下DRAM芯片需求火爆，美光科技又重新推动了这一计划。美光2013年收购了日本前 DRAM 制造大厂尔必达存储器 (Elpida Memory)，在日本拥有超过4000名工程师和技术人员。日本政府大力扶持此前，日本政府已批准多达1920亿日圆（约合13亿美元）补贴，支持美光在广岛建厂并生产新一代芯片。去年，日本经济产业省曾表示，将利用这笔经费协助美光科技生产芯片，这些芯片将是推动生成式AI、数据中心和自动驾驶技术发展的关键。本经济产业大臣西村康稔当时表示，对美光科技的补贴是“为了确保日本未来经济安全所需的尖端芯片供应”。他表示：“目前市场形势严峻，但在这种时候，我们有必要进行投资。”西村表示，日本政府拨出最高1670亿日元用于支付美光的生产成本，并拨出最高250亿日元用于开发成本。日本首相岸田文雄的政府已拨出数十亿美元的补贴，旨在到 2030 年将国内芯片产量提高两倍。在日本逐步步入老龄化之际，此举也有助于推动日本重新获得其在技术领域的一些昔日领先地位。 ... PC版： 手机版：