SK hynix价值1060亿美元的巨型工厂建设被曝进展缓慢

SK hynix价值1060亿美元的巨型工厂建设被曝进展缓慢 韩国贸易、工业和能源部的一份声明中写道:"迄今为止,Fab 1 已完成约 35%,现场改造进展顺利。到 2046 年,将投入超过 120 万亿韩元(目前为 900 亿美元,2021 年为 1060 亿美元)的投资来完成 Fab 1 到 Fab 4,Fab 1 的生产线建设将于明年 3 月开始。一旦完工,该基础设施将成为世界上最大的三层晶圆厂"。SK hynix 在近三年前宣布建立新的半导体制造集群,主要目的是利用先进的极紫外光刻(EUV)工艺技术为个人电脑、移动设备和服务器制造 DRAM。该集群位于韩国龙仁市附近,占地 415万平方米,计划由四个大型晶圆厂组成,预计产能约为每月 80 万个晶圆开工 (WSPM),将成为全球最大的半导体生产中心之一。尽管如此,SK hynix 的建设进度还是比公司最初预计的要慢。该园区的第一座工厂原计划于 2025 年投产,并于 2021 年第四季度开始建设。然而,SK hynix 从 2022 年下半年开始削减资本支出,龙仁半导体集群项目也成为削减资本支出的牺牲品。可以肯定的是,该项目仍在继续开发,只是速度有所放缓;这也是第一座晶圆厂的外部结构目前已建成约 35% 的原因。据 2021 年的报道称,如果按计划于 2021 年竣工,SK hynix 龙仁集群业务的第一阶段将成为耗资 250 亿美元的大型存储器生产设施,配备 EUV 工具,能够生产 20 万 WSPM。 ... PC版: 手机版:

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SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM 该公司计划于 4 月底开工,力争在 2025 年 11 月竣工,早日实现量产。随着设备投资计划的逐步增加,建设新生产基地的长期总投资将超过 20 万亿韩元。作为人工智能存储器领域的全球领导者,SK hynix 希望通过扩大投资来振兴国内经济,同时刷新韩国作为半导体强国的声誉。随着人工智能时代的到来,半导体行业认为 DRAM 市场已进入中长期增长阶段。除了预计年增长率将超过 60% 的 HBM 之外,该公司还预测,在用于服务器的大容量 DDR5 模块产品的带动下,普通 DRAM 的需求将稳步上升。由于 HBM 需要至少两倍于普通 DRAM 产品的生产能力才能保证同样的产量,因此 SK hynix 决定,提高 DRAM 能力,重点发展 HBM 是未来发展的先决条件。公司计划在 2027 年上半年龙仁半导体集群的第一座工厂竣工之前,在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM。M15X 位于 M15 工厂附近,而 M15 工厂一直在扩大 TSV 生产能力,因此最适合优化 HBM 生产。此外,SK hynix 还将按计划进行其他国内投资,包括龙仁半导体产业园,并将向该产业园注入约 120 万亿韩元。龙仁项目正在加速推进,基础工程的进度已达到 26%,比目标快 3%。包括土地补偿程序和文化财产调查在内的主要准备工作已经完成,从水电到道路等基础设施的建设也在加速。公司计划于明年 3 月开始建设位于龙仁的第一座工厂,并于 2027 年 5 月竣工。就整个 SK 集团而言,SK hynix 的投资是整个国内投资的主要支柱。自2012年并入SK集团以来,SK hynix根据其"未来愿景"计划,自2014年起已累计投资46万亿韩元,在韩国新建三座晶圆厂利川M14晶圆厂、2018年清州M15晶圆厂和2021年利川M16晶圆厂。SK hynix 预计,对 M15X 和龙仁集群的投资将有助于推动韩国成为更强大的人工智能半导体强国,同时为振兴当地经济提供动力。"随着向全球供应人工智能存储器的关键工厂转型,M15X 将作为连接公司现在和未来的垫脚石发挥关键作用,"SK hynix 总裁兼首席执行官郭能静(Kwak Noh-Jung)说。"我们相信,这项投资将成为超越私营部门的巨大飞跃,为更广泛的国内经济的未来做出贡献"。 ... PC版: 手机版:

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【SK海力士CEO:SK Square计划向芯片和区块链领域投资16亿美元】 3月28日消息,韩国芯片制造商SK海力士的首席执行官Park Jung-ho周一表示,其最大股东(持有SK海力士20.1%股权)SK Square正在考虑涉及芯片及区块链公司的并购交易,计划确保获得超过2万亿韩元(16.3 亿美元)的自身投资资源,建立国内外投资者联合投资基地,集中投资在芯片和区块链等领域。 据悉,SK Square成立于2021年,是由韩国最大通讯业者SK Telecom分拆成立的投资公司,掌握非电信与技术部门,专注投资于新兴高科技技术与半导体方面的业务,旗下子公司包括韩国半导体制造的 SK Hynix、App应用商品经营业者ONE Store、电商平台11Street等等。

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SK 海力士计划斥资40亿美元在美国建首家芯片工厂 SK 海力士公司计划斥资38.7亿美元在印第安纳州建造一座先进的封装厂和人工智能产品研究中心。这标志着拜登政府在寻求增加美国本土半导体产量方面的胜利。这家全球第二大的内存芯片制造商表示,将在美国西拉斐特市建设首个工厂,并计划于2028年下半年开始量产。该工厂将重点建设下一代高带宽存储芯片生产线,这些芯片是训练人工智能系统图形处理器的关键组件。在美国当地建厂的决定是在 SK 海力士宣布投资美国的计划约两年后作出的。当时,SK 集团董事长崔泰源表示,该企业将拨出大约150亿美元,在美国建设芯片设施和加强研究项目。这家韩国公司表示,周三的公告是这一总体承诺的一部分。SK 海力士还申请了《芯片与科学法案》的拨款,该法案旨在促进半导体制造业回归美国。

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SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术 随着现代人工智能及其通过并行处理链消化大量数据的技术的出现,这种技术的重要性与日俱增。虽然 SK 海力士没有披露今年的资本支出预算,但分析师的平均估计是 14 万亿韩元(105 亿美元)。这表明,先进的封装技术可能占到其中的十分之一,是主要的优先事项。Lee 在接受采访时说:"半导体行业的前 50 年都是关于前端的,也就是芯片本身的设计和制造。但是,下一个 50 年的重点将是后端,即封装。"在这场竞赛中,率先实现下一个里程碑的公司现在可以跃居行业领先地位。SK Hynix 被 NVIDIA 公司选中,为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM,从而将这家韩国公司的价值推高到 119 万亿韩元。自2023年初以来,SK海力士的股价已上涨近120%,成为韩国第二大最有价值的公司,超过了三星和美国竞争对手美光科技。现年 55 岁的 Lee 协助开创了封装第三代 HBM2E 技术的新方法,并很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新是 SK Hynix 在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户地位的关键。长期以来,Lee 一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年,他在日本东北大学获得了微系统三维集成技术的博士学位,师从发明了用于手机的堆叠电容 DRAM 的小柳光正。2002 年,Lee 加入三星存储器部门担任首席工程师,领导开发了基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器,它将芯片堆叠在一起,并用 TSV 连接,以实现更快、更节能的数据处理。但在前智能手机时代,三星在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常会将组装、测试和封装芯片的任务外包给较小的亚洲国家。因此,当 SK Hynix 和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 于 2013 年向全球推出 HBM 时,在三星于 2015 年底开发出 HBM2 之前的两年时间里,它们一直没有受到挑战。李在镕三年后加入 SK 海力士。他们不无自豪地开玩笑说,HBM 代表"海力士最好的内存"。里昂证券韩国公司的分析师 Sanjeev Rana 说:"SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的洞察力,他们已经做好了充分的准备。当机会来临时,他们用双手抓住了它。至于三星,他们被打了个措手不及"。ChatGPT 于 2022 年 11 月发布,这正是 Lee 翘首以盼的时刻。当时,他的团队在日本联系人的帮助下,已经开发出一种名为大规模回流注塑填充(MR-MUF)的新型封装方法。这种工艺是在硅层之间注入液态材料,然后使其硬化,从而改善了散热和产量。据一位熟悉内情的人士透露,SK 海力士与日本 Namics 公司合作开发了这种材料,并获得了相关专利。Lee 表示,SK Hynix 正在将大部分新投资用于推进 MR-MUF 和 TSV 技术。多年来,三星一直被其高层的接班人问题所困扰,现在三星正在进行反击。NVIDIA 去年向三星的 HBM 芯片点头示意,这家总部位于水原的公司于 2 月 26 日表示,它已开发出第五代 HBM3E 技术,该技术拥有 12 层 DRAM 芯片,容量达到 36GB,为业界最大。同一天,总部位于美国爱达荷州博伊西的美光公司(Micron)宣布开始批量生产 24GB 八层 HBM3E,这将成为 NVIDIA 第二季度出货的 H200 Tensor Core 设备的一部分,令业内观察人士大吃一惊。随着 SK Hynix 致力于扩大和提高国内技术,并计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装工厂,面对日益激烈的竞争,Lee 依然看好 SK Hynix 的发展前景。他认为,目前的投资为未来新一代 HBM 满足更多需求奠定了基础。 ... PC版: 手机版:

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SK hynix利用新一代HBM4E内存整合计算和高速缓存功能 由于目前这还只是一个概念,SK hynix 已经开始确保半导体设计 IP 以实现其目的。据韩国媒体ET News报道,虽然有关工艺的细节还不多,但SK hynix计划通过其即将推出的HBM4架构为多用途HBM奠定基础,因为这家韩国巨头将在板上集成内存控制器,并计划通过其第七代HBM4E内存带来新的计算选择。SK hynix 将把内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上,这将提高能效和信号传输速度。至于新增功能对计算市场的影响有多大,我们还不能确定,但它肯定会提高性能,因为这种方法偏离了行业的传统做法,即对 HBM 和半导体进行不同的处理。然而,通过 SK hynix 的技术,封装后将成为一个整体,这不仅能确保更快的传输速度,因为结构间隙将大大减少,而且还能带来更高的能效。SK hynix 希望快速推进其下一代 HBM 概念,因为该公司已经与台积电结盟,以处理其结构中的半导体部分。这家韩国巨头希望借此在三星(Samsung)和美光(Micron)等竞争对手中遥遥领先,同时确保 HBM 产业的持续创新。 ... PC版: 手机版:

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SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长

SK hynix披露2024年HBM供应已售罄 公司预计2025年业绩将大幅增长 HBM内存的主要供货商 SK hynix 正式证实了其前几个月分析报告中"破纪录"的 HBM 销量,重申其在HBM领域的发展方针,并声称市场将出现反弹。SK hynix 副总裁 Kim Ki-tae 在一篇博客文章中分享了该公司在 HBM 市场上的做法,此外,他还重申了SK hynix迈向2024年的期望:随着生成式人工智能服务的多样化和进步,对人工智能内存解决方案 HBM 的需求也呈爆炸式增长。HBM 具有高性能和大容量的特点,是一款具有里程碑意义的产品,打破了内存半导体只是整个系统一部分的传统观念。其中,SK Hynix HBM 的竞争力尤为突出。2024 年,期待已久的"Upturn"时代即将到来。在这个新的飞跃时期,我们将全力以赴,创造最佳业绩。我希望SK hynix的成员们都能在这一年里梦想成真。此外,该公司还透露了 HBM 领域的惊人需求,声称今年的供应已经售罄,SK hynix 已经在为 2025 财年的主导地位做准备。这一点也不令人震惊,因为进入 2024 年,人工智能仍在蓬勃发展,英伟达(NVIDIA)和 AMD 等公司都在为下一代解决方案做准备,显然对 HBM 的需求也将是巨大的。随着 HBM3e 和 HBM4 产品的上市,我们可能会看到更多令人震惊的收入数字。 ... PC版: 手机版:

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