三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单

三星获得日本人工智能芯片初创公司2纳米晶圆订单 三星的 2 纳米节点被称为 SF2，有望在 2025 年交付量产芯片，这意味着 2024 年的大部分时间都将用于测试、验证和风险生产，预计该节点将在年底投入使用。与 SF3（3 纳米 EUV FinFET）相比，三星 SF2 的能效（等时钟）提高了 25%，性能提高了 12%。在半导体制造市场，三星 SF2 的竞争对手是台积电 N2 和英特尔 20A。 ... PC版： 手机版：

三星制定1纳米工艺节点计划 七月公布 预计2026年量产

三星制定1纳米工艺节点计划 七月公布 预计2026年量产 有趣的是，三星已决定将其 1 纳米生产时间表从 2027 年提前到 2026 年，因此，如果一切按计划进行，2 纳米"SF2"工艺将于 2025 年亮相。关于三星 1nm 节点的预期，目前披露的信息还不多，但总体而言，1nm 工艺被视为计算和半导体领域的一个突破，有望带来超强的性能和效率。一名三星工程师手持公司首批 3 纳米 GAA 晶圆就推出时间表而言，这家韩国巨头目前领先于竞争对手。英特尔代工厂计划在2028 年量产 10A（1 纳米）工艺，台积电计划在 2030 年量产1 纳米工艺。因此，三星现在看来领先了好几年。既然他们已经推迟了时间表，那么在工艺质量和性能方面还能做出什么更有意义的承诺，我们将拭目以待。因此，可以说摩尔定律仍然在继续。不过，我们不会质疑它在当代的意义，主要是因为专注于其他因素（如加强架构进步）带来了巨大的性能提升。在人工智能计算时代，工艺缩减发挥了作用，但其他因素的进步也在市场中占据了更重要的位置。 ... PC版： 手机版：

据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos

据传三星已启动代号为"Thetis"的 2 纳米芯片开发 可能首先将其用于Exynos 据报道，苹果公司首席运营官杰夫-威廉姆斯（Jeff Williams）最近访问了台湾，希望从台积电（TSMC）获得首批 2 纳米晶圆，Naver 也传出这家韩国公司将开始开发自己的 2 纳米工艺，代号为"Thetis"。忒提斯是希腊神话中的海神，也是特洛伊战争英雄阿喀琉斯的母亲。三星之所以选择这个名字，可能是因为 Thetis 一词的词源来自于"世世代代"。此前有报道称，三星将于 2025 年开始量产2 纳米 GAA 晶圆，预计其 3 纳米 GAA 技术将有三次迭代。第二代 3 纳米 GAA 节点据说将用于即将推出的 Exynos 2500，三星的目标是减少电流泄漏，提高这款芯片组的能效。据报道，随着"Gate All Around"技术被应用于 2 纳米光刻技术，三星可能会超越台积电的 2 纳米工艺。不幸的是，这家韩国代工厂面临的最大障碍一直是良品率。即使采用了 3 纳米 GAA 技术，三星的良品率也只有可怜的 20%，尽管它似乎已设法将这一数字提高到原来的三倍，但仍然落后于台积电。三星正在加快量产尖端硅片的步伐，因为它希望在未来发布的旗舰智能手机中保持较高的 Exynos 芯片组采用率。这将有助于减少三星对高通公司的依赖，降低其芯片组支出，由于三星推出的 Galaxy S23 系列完全采用骁龙 8 Gen 2，导致其 2023 年的芯片支出高达70 亿美元。在 2024 年第一季度的财务报告中，三星的营业利润比 2023 年第一季度猛增了933%，这表明该公司正在优化其各个业务部门，而这种做法对于提高其 2nm GAA 工艺的良品率大有裨益。 ... PC版： 手机版：

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺 现在，一份新的报告指出，Exynos 2500 将提高工艺标准，预计将使用第二代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺，以提高明年旗舰机型的性能与效率。据 Business Korea 报道，为了跟上台积电的步伐，三星将利用其第二代 3nm GAA 工艺量产 Exynos 2500。目前，这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用 Gate-All-Around 技术的代工厂，这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到，Exynos 2500 将比 骁龙8 Gen 4 表现出更高的能效属性，但应该指出的是，这些说法是一位线人之前提出的。三星的 3nm GAA 工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称，其第二代技术将把功耗降低 50%，性能提高 30%，面积缩小 35%。据悉，第一代 3 纳米 GAA 节点与三星的 5 纳米工艺相比有一系列改进，功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积缩小了 16%。对 Exynos 2500 的测试传闻称，后者已经在 CPU 和 GPU 测试中击败了高通公司的骁龙8 Gen 3，因此假设这一消息属实，那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过，我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论，因此，尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞，但毕竟它已经让我们失望了很多次，而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 ... PC版： 手机版：

三星晶圆代工厂正采取积极措施 希望赢得NVIDIA下一代GPU的3nm订单

三星晶圆代工厂正采取积极措施 希望赢得NVIDIA下一代GPU的3nm订单 三星晶圆代工厂意识到台积电的领先地位，并希望重新赢得NVIDIA这个大客户。为此，他们正竭尽全力确保其采用GAA（Gate-All-Around）架构的 3 纳米工艺节点能够胜任任务，满足NVIDIA的要求。为此，三星在内部实施了一项代号为"Nemo"的战略，意指NVIDIA，每个部门都在努力确保能从芯片制造商那里获得订单。NVIDIA上一次利用三星的代工厂（8 纳米）生产 GeForce RTX 30"Ampere"GPU是专为游戏（客户端）市场设计的，Ampere 的后续产品 Ada Lovelace"GeForce RTX 40"则转向台积电（5 纳米工艺）。到目前为止，三星代工厂预计在 2024 年上半年实现 3 纳米 GAA 工艺的量产。GAA 技术将消除旧式 FinFET 工艺的一些主要瓶颈，但该工艺是否足以赢得NVIDIA的青睐还有待观察。最近有报道称，该公司未能通过NVIDIA的 HBM3E 内存认证程序，这可能会导致业务出现重大挫折，但三星正在确保能够完善其 HBM 内存，并已计划开发下一代 HBM4 架构，预计将于 2025-2026 年间亮相。NVIDIA未来的芯片业务是否会重新选择三星，我们只需拭目以待。在全面转向三星代工之前，我们很可能会看到一些半定制产品。鉴于NVIDIA GPU 的需求量，这家芯片制造商很可能会从所有能拿到手的半导体工厂双源采购芯片，就像过去双源采购 HBM 和封装材料一样。 ... PC版： 手机版：

三星的3纳米工艺良品率提高了三倍 但仍落后于台积电

三星的3纳米工艺良品率提高了三倍 但仍落后于台积电 虽然有了巨大的进步，但该公司仍然落后于台积电，有传言称三星在其第二代 3nm GAA 工艺上投入了更多资源。随着台积电积极扩大其 3nm 晶圆生产规模，预计今年月产量将达到10 万片，三星几乎没有机会赶上其代工竞争对手。当然，在过去的几年里，这家台湾半导体巨头在这一领域几乎没有遇到过任何能够分庭抗礼的竞争对手，但三星仍在不断努力。据爆料人 Revegnus 称，第二代 3nm GAA 工艺正显示出巨大的潜力，据传在功耗、性能和逻辑面积方面都将有所改进。虽然没有提及第二代 3nm GAA 工艺的良品率，但据说它与台积电的 N3P 节点相当。三星必须对良品率进行进一步优化，因为早前有报道称，三星需要将良品率提高到 70%，才能重新赢得高通等老客户的信任。还有传言称，三星正在为未来的订单加大对 2nm 技术的投资，但事实证明，这些 2nm 晶圆实际上是名称不同的 3nm 晶圆。到目前为止，除了完成3nm GAA 工艺的加密货币挖矿硬件订单外，三星还没有为其他客户带来满意的服务。可能是这些公司对早期样品印象不佳，决定在可预见的未来继续使用台积电。不过，这并不意味着三星不致力于进行调整，但要对行业内的翘楚构成足够的威胁还需要一段时间。 ... PC版： 手机版：