涨价前兆 PC、手机DRAM内存将出现供应短缺

涨价前兆 PC、手机DRAM内存将出现供应短缺 与HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片，这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。自2024年初以来，通用型DRAM的产能仅提升了大约10%，而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减，也未能显著推动DRAM需求的复苏。与此同时，企业级固态硬盘（eSSD）的需求因人工智能的普及而激增，导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。铠侠也在市场条件改善后结束了减产，NAND产能利用率恢复至100%。尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度，但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。PC制造商和智能手机厂商，如三星和苹果，正在积极探索AI技术在各自产品中的应用，以期带动市场需求。 ... PC版： 手机版：

HBM制造商良品率低 难以通过NVIDIA的供应商资格测试

HBM制造商良品率低 难以通过NVIDIA的供应商资格测试 韩国知名媒体DealSite 的一篇报道披露，美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）等制造商正在为通过英伟达（NVIDIA）下一代人工智能 GPU 的资格测试而正面交锋，而低良品率似乎阻碍了它们的发展。在 HBM 领域，良品率主要与堆叠架构的复杂性有关，它涉及多个存储器层和用于层间连接的复杂硅通孔 (TSV)。这种复杂性增加了制造过程中出现缺陷的几率，与较简单的存储器设计相比，可能会降低良品率。DealSite 重申，如果其中一个 HBM 芯片有缺陷，整个堆叠就会被丢弃，由此可见制造过程有多复杂。消息人士称，目前 HBM 内存的总体良品率约为 65%，如果各公司开始提高这一数字，产量就会下降，这就是为什么实际的竞争在于找到这两个问题之间的解决方案。不过，美光（Micron）和 SK 海力士（SK Hynix）似乎在这场竞争中处于领先地位，据报道，美光已经开始为英伟达（NVIDIA）的 H200 AI GPU生产 HBM3E，因为它已经通过了NVIDIA设定的认证阶段。现在，虽然对于 HBM 制造商来说，良品率现在还不是一个大问题，但从长远来看它又可能会成为一个大问题，因为随着时间的推移，我们会看到需求的增长，最终促使对更高产量的需求。 ... PC版： 手机版：

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14%

2024年HBM供应量预计增长260% 占DRAM产业的14% Wu解释说，就HBM和DDR5的生产差异而言，HBM的裸片尺寸通常比相同工艺和容量的DDR5大35-45%（例如，24Gb与24Gb相比）。 HBM的良率（包括TSV封装）比DDR5大约低20-30%，生产周期（包括TSV）比DDR5长1.5到2个月。由于 HBM 从晶圆开始到最终封装的生产周期较长，需要两个季度以上，因此渴望充足供应的买家需要提前锁定订单。 TrendForce获悉，2024年大部分订单已提交给供应商，除非验证失败，否则不可取消。三星和 SK hynix 的 HBM 生产计划在今年年底前最为激进。预计到年底，三星的HBM总产能将达到13万片左右（包括TSV）；SK hynix约为12万片，但产能可能会根据验证进度和客户订单而变化。关于目前主流 HBM3 产品的市场份额，SK hynix 占据了 HBM3 市场 90% 以上的份额，而随着 AMD 的 MI300 在未来几个季度的逐步发布，三星预计将紧随其后。 ... PC版： 手机版：

SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM

SK hynix 将在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM 该公司计划于 4 月底开工，力争在 2025 年 11 月竣工，早日实现量产。随着设备投资计划的逐步增加，建设新生产基地的长期总投资将超过 20 万亿韩元。作为人工智能存储器领域的全球领导者，SK hynix 希望通过扩大投资来振兴国内经济，同时刷新韩国作为半导体强国的声誉。随着人工智能时代的到来，半导体行业认为 DRAM 市场已进入中长期增长阶段。除了预计年增长率将超过 60% 的 HBM 之外，该公司还预测，在用于服务器的大容量 DDR5 模块产品的带动下，普通 DRAM 的需求将稳步上升。由于 HBM 需要至少两倍于普通 DRAM 产品的生产能力才能保证同样的产量，因此 SK hynix 决定，提高 DRAM 能力，重点发展 HBM 是未来发展的先决条件。公司计划在 2027 年上半年龙仁半导体集群的第一座工厂竣工之前，在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM。M15X 位于 M15 工厂附近，而 M15 工厂一直在扩大 TSV 生产能力，因此最适合优化 HBM 生产。此外，SK hynix 还将按计划进行其他国内投资，包括龙仁半导体产业园，并将向该产业园注入约 120 万亿韩元。龙仁项目正在加速推进，基础工程的进度已达到 26%，比目标快 3%。包括土地补偿程序和文化财产调查在内的主要准备工作已经完成，从水电到道路等基础设施的建设也在加速。公司计划于明年 3 月开始建设位于龙仁的第一座工厂，并于 2027 年 5 月竣工。就整个 SK 集团而言，SK hynix 的投资是整个国内投资的主要支柱。自2012年并入SK集团以来，SK hynix根据其"未来愿景"计划，自2014年起已累计投资46万亿韩元，在韩国新建三座晶圆厂利川M14晶圆厂、2018年清州M15晶圆厂和2021年利川M16晶圆厂。SK hynix 预计，对 M15X 和龙仁集群的投资将有助于推动韩国成为更强大的人工智能半导体强国，同时为振兴当地经济提供动力。"随着向全球供应人工智能存储器的关键工厂转型，M15X 将作为连接公司现在和未来的垫脚石发挥关键作用，"SK hynix 总裁兼首席执行官郭能静（Kwak Noh-Jung）说。"我们相信，这项投资将成为超越私营部门的巨大飞跃，为更广泛的国内经济的未来做出贡献"。 ... PC版： 手机版：

长鑫存储准备生产HBM内存 采购设备已获美国批准

长鑫存储准备生产HBM内存 采购设备已获美国批准 这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。消息人士称，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美国设备供应商就获得了美国政府的许可，可以向长鑫出口HBM制造设备。考虑到HBM内存需要先进、复杂的制造和封装技术，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。目前，长鑫已经在合肥有了一座DRAM内存工厂，正在筹钱建设第二座，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造HBM。暂时还不清楚长鑫要生产的HBM是第几代，可能是HBM3，而国际上已经有了更先进的HBM3E，SK海力士还计划在2026年抢先投产HBM4。根据规划，HBM4将抛弃用了将近十年的1024-bit位宽，首次升级到2048-bit位宽，并有望堆叠更多层级，从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。 ... PC版： 手机版：

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产 美光透露其正在大规模生产 24 GB 8-Hi HBM3E 设备，每个设备的数据传输速率为 9.2 GT/s，峰值内存带宽超过 1.2 TB/s。与 HBM3 相比，HBM3E 将数据传输速率和峰值内存带宽提高了 44%，这对于像 NVIDIA 的 H200 这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA 的 H200 产品采用 Hopper 架构，计算性能与 H100 相同。同时，它配备了 141 GB HBM3E 内存，带宽达 4.8 TB/s，比 H100 的 80 GB HBM3 和 3.35 TB/s 带宽有了显著提升。美光使用其 1β（1-beta）工艺技术生产其 HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于 2024 年 3 月发布 36 GB 12-Hi HBM3E 产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手 SK Hynix 和三星开始量产 HBM3E 内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在 HBM 领域占据 10% 的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示："美光在 HBM3E 这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图，以及我们面向人工智能应用的全套 DRAM 和 NAND 解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。" ... PC版： 手机版：