南亚和华邦在需求和价格上涨的情况下提高存储器产量

南亚和华邦在需求和价格上涨的情况下提高存储器产量 目前，存储器工厂的产能利用率达到 90% 至满负荷，明显高于工艺成熟的晶圆代工厂 60% 至 70% 的产能利用率。去年，南亚调整了生产量，最多减少了 20%。今年，产量逐渐增加，第二季度达到 70% 至 80% 以上，目前已恢复到正常水平。南亚公司预计，DRAM 市场状况和价格将逐季改善，整个行业趋势向好，第三季度有可能扭亏为盈。南亚昨天公布 6 月合并营收 33.63 亿元，月增 0.35%，年增 36.83%，创下今年新高。上半年累计合并营收194.24亿元，同比增长44.4%。南亚将于 7 月 10 日召开新闻发布会，公布第二季度财报和经营展望。紧随南亚之后，华邦去年也因应市场状况和库存调整，将台中工厂的产量减少了 30% 至 40%。自 2024 年初以来，随着市场需求的恢复，生产量也随之增加。目前的生产能力已达到满负荷，月产量为 58000 单元。此外，高雄工厂还引进了新的生产设备，月产能从 10000 单单元提高到 14000 单元，生产工艺也从 25 纳米升级到 20 纳米。华邦公司总经理陈沛铭表示，目前公司的产能利用率已达到满负荷，出货量超过了产量。这表明库存水平正在下降，客户需求正在上升。他预计下半年的业绩将好于上半年，并看好 DDR3 和 DDR4 合约价格的上涨，这将对公司利润产生积极影响。 ... PC版： 手机版：

Kioxia 采用最新 BiCS FLASH 技术推出 2 Tb QLC 闪存

Kioxia 采用最新 BiCS FLASH 技术推出 2 Tb QLC 闪存 凭借最新的 BiCS FLASH 技术，Kioxia 通过专有工艺和创新架构实现了存储器芯片的纵向和横向扩展。此外，该公司还采用了 CBA（CMOS 直接绑定到阵列）技术，实现了更高密度的器件和业界领先的 3.6 Gbps 接口速度。这些先进技术共同应用于 2 Tb QLC 的制造，使其成为业界容量最大的存储器件。与 Kioxia 目前的第五代 QLC 器件相比，2 Tb QLC 的位密度高出约 2.3 倍，写入能效高出约 70%，是 Kioxia 产品中容量最高的器件。最新的 QLC 器件在单个存储器封装中采用 16 片堆叠架构，实现了业界领先的 4 TB 容量。它的封装尺寸更小，为 11.5 x 13.5 毫米，封装高度为 1.5 毫米。除了 2 Tb QLC，Kioxia 还在其产品组合中增加了 1 Tb QLC 存储器。与容量优化的 2 Tb QLC 相比，性能优化的 1 Tb QLC 的连续写入性能提高了约 30%，读取延迟提高了约 15%。1 Tb QLC 将部署在高性能应用中，包括客户端固态硬盘和移动设备。Kioxia 将继续开发业界领先的内存产品，以满足日益增长的数据存储解决方案需求。 ... PC版： 手机版：

传中国厂商进军 DDR3 市场，长鑫存储11月供货兆易创新

传中国厂商进军 DDR3 市场，长鑫存储11月供货兆易创新 据《电子时报》援引业内人士透露，今年11月起，长鑫存储将开始为 Nor Flash 供应商兆易创新的DDR3产品提供产能，双方计划合作进入DDR3领域。 长鑫存储将主要采用17nm制程工艺来生产DDR3内存，产品目前仍在位于中国本土的 OSAT 工厂进行验证，预计从2022年第一季度下半年开始，OSAT 厂将增加DDR3的产量。 除了兆易创新外，台湾地区的晶豪、钰创也已与力积电等代工厂合作生产DDR3产品，南亚和华邦电则自产DDR3产品。有猜测称，部分封测大厂已经从中国芯片厂获得了DDR3内存的订单。（）

存储行业，活过来了

存储行业，活过来了 Gartner报告显示，2023年全球存储器市场规模下降了37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域。彼时几家存储大厂集体经营亏损预估达破纪录的50亿美元，创下过去15年来最严重的低迷。存储原厂相继减产、降价、减少开支...，以应对行业低迷。存储市场的“溃败”尚历历在目，每一位行业玩家和亲历者仍心有余悸。然而，纵使每一道车辙都留下了时代的印记，但周期轮转的车轮始终在滚滚向前。自2023年尾，2024年以来，随着芯片库存调整卓有成效，市场需求回暖推动，全球存储芯片价格正从去年的暴跌中逐步回升。这一在上论行业周期中跌宕最大，损失最惨重的赛道，似乎正在走出低谷。无论是存储原厂的业绩表现，还是调研机构的市场观察，都在印证这一观点。可以理解为：存储市场，活过来了。存储大厂业绩加速回暖随着手机、PC及服务器等行业市场需求的逐渐复苏，加上存储原厂产能削减措施的逐步实施，部分大类存储产品的价格已触底反弹，步入上升通道。涨价潮令上游存储大厂业绩加速回暖。三星电子：利润暴增931.3%，创历史最高在行业复苏的背景下，三星电子凭借其在内存芯片市场的领先地位，实现了营业利润的暴涨，为行业带来强烈的震动。4月5日，三星电子表示，随着芯片价格反弹，预计第一季度营业利润将增长931%。（三星将于4月30日公布包含详细的完整财报）从三星此次公布的财务预报来看，当季营收约为71万亿韩元，同比上涨11.4%；营业利润大幅上涨至6.6万亿韩元，同比暴增931.3%。近几个季度以来，存储芯片价格的持续上涨起到了积极作用。早在去年四季度，三星就开始率先对其存储芯片进行了涨价。据此前消息显示，三星在去年四季度对NAND Flash芯片报价上调10%至20%之后，又在今年一季度和二季度再逐季涨价20%，涨价幅度远超乎业界预期。在涨价的同时，三星还对于NAND Flash和DRAM进行了增产。NAND方面，三星电子正在提升其位于中国西安NAND Flash闪存厂的产能利用率，目前已恢复到了70%左右。自2023年二季度减产之后，三星西安NAND Flash厂的产能利用率在2023下半年一度滑落至20%~30%的低谷，但是随着2023年四季度市场需求的回暖，三星西安NAND Flash厂的产能利用率也开始逐步回升。DRAM方面，三星电子的目标是到2024年第四季度晶圆产量达到200万片，比去年的数字增长41%。三星现在的目标是通过提高生产水平来挽回损失的利润，预计未来需求将会增加。三星电子凭借其先进的生产工艺和庞大的产能规模，成功抓住了市场机遇，实现了业绩的快速增长。其中，内存芯片业务的销售额和利润的大幅增长，成为推动公司整体业绩提升的重要力量。在日前举行的年度股东大会上，三星预计2024年旗下存储半导体部门销售额有望恢复至2022年的水平，同时还定下了更高的目标要在两到三年内，重新夺回全球芯片市场第一的位置。除了芯片周期的回暖，三星还可能在近期迎来更多好消息。上个月，英伟达CEO黄仁勋暗示，英伟达有意采购三星的HBM芯片。有韩媒爆料称，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E。倘若消息落实，这将为三星电子未来的业绩进一步增长带来潜在动力。美光科技：HBM在2024年销售一空3月20日，美国存储芯片大厂美光公布了截至2024年2月29日的2024财年第二季财报，美光第二财季受益于DRAM和NAND Flash需求及价格同步上升，该季营收58亿美元，同比大涨58%，环比增长23%。美光2024财年第二季财报（图源：美光财报）从具体产品划分收入构成来看，美光第二财季DRAM收入环比增长21%至42亿美元，占总收入的71%。这主要得益于该季DRAM平均价格上涨了10%，出货量也有个位数百分比的增长；第二财季NAND收入环比增长了27%至16亿美元，占美光总收入的27%。根据此前美光公布的财报数据显示，其第二财季DRAM平均价格上涨了10%；NAND Flash的平均价格涨幅超过了30%。同时财报也显示，产品涨价带动了美光的整体毛利率提升了19个百分点。据悉，美光在该季营收、毛利率、净利均大超预期，并成功结束连续五个季度的亏损，扭亏为盈。从各应用领域收入来看，来自数据中心领域的营收增长是最为迅猛，环比增长超过一倍。这主要得益于AI服务器的需求正在推动HBM、DDR5和数据中心SSD的快速增长。这进而也导致了先进的DRAM和NAND的供应处于供不应求当中，对所有存储器和存储终端市场的定价产生了积极的连锁反应。美光在财报中强调：“我们的HBM在2024年销售一空，2025年的绝大多数供应已经分配完毕。我们继续预计HBM比特份额将在2025年的某个时候与我们的整体DRAM比特份额相等。”美光预计，接下来每个季度的芯片价格都会上涨，重申2025财年将实现创纪录的收入，云收入也将呈现季度翻倍增长，同时客户的库存已经减少，急需补充新品。不过需要指出的是，2024财年，美光的业绩增长动力主要还是来自于DRAM和NAND Flash的价格上涨及需求的增长。而HBM所能够为美光带来的营收贡献仍比较有限。美光最新业绩以及业绩展望数据表明，美光已经熬过整个芯片行业周期的最糟糕时期，并且重新走向盈利模式，AI热潮带来的存储需求激增可谓核心驱动力。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在业绩会议上向投资者承诺，2024年将标志着存储行业大幅反弹，2025年则将达到创纪录的销售额水平。但这也意味着美光需要加大产能制造足够数量的HBM存储，这需要与英伟达等AI芯片厂商紧密合作，帮助数据中心运营商们加快AI基础设施建设步伐以及开发更多的人工智能软件。SK海力士：率先扭亏为盈SK海力士是存储巨头中率先实现全公司单季度扭亏的公司。据财报显示，SK海力士2023财年第四季度结合并收入为11.306万亿韩元，营业利润为0.346万亿韩元，成功实现扭亏为盈。SK海力士仅时隔一年就摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损。SK海力士季度毛利率和净利率表现（图源：SK海力士财报）顺应高性能DRAM需求的增长趋势，SK海力士将顺利进行用于AI的存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，同时将DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。对于市况复苏相对缓慢的NAND闪存，SK海力士2023年主要集中于投资和费用的效率化。后续，SK海力士决定通过以eSSD等高端产品为主扩大销售，改善盈利并加强内部管理。除此之外，从铠侠、西部数据以及存储器终端厂商发布的最新财报中也可以看出，各大厂商业绩均迎来较好表现。2024年，存储行业步入上行周期眼下存储芯片最核心的三大应用市场，即手机、PC和服务器，已基本突破了“黑暗期”。同时，以智能汽车、AI为代表的新兴市场的兴起，将在未来推动存储产业的需求进一步增加。从行业角度看，根据TrendForce预测数据，不论是DRAM还是NAND Flash，2024年的整体存储合约均价有望呈现逐季上涨态势，同时通过观察以三星、SK海力士为代表的头部存储厂商近期业绩的环比改善变化，存储行业有望在2024年步入上行周期。有业内人士表示，去年三、四季度是存储大厂减产限制供应所带动的涨价；而如今涨价主要是因为新需求增加所带动的，接下来延续涨价没有悬念。此前韩国公布今年3月份芯片出口额年增35.7%，达到117亿美元，创下2022年3月以来的最佳单月表现。这一数据也显示出，目前半导体市场在经历低谷之后，已经开始逐步反弹。TrendForce集邦咨询的统计显示，今年一季度DRAM芯片价格较前一季度增加约20%，而NAND Flash芯片价格涨幅在23%-28%之间。展望第二季度，TrendForce预估DRA... PC版： 手机版：

存储芯片需求炸裂 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅

存储芯片需求炸裂 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅 根据韩国国家统计局周五公布的数据，4月份韩国芯片库存同比骤降33.7%，为2014年底以来的最大降幅，很大程度上反映韩国芯片出口规模激增。这也标志着芯片库存连续四个月呈现下降，与此同时，韩国芯片出口规模持续回升。随着人工智能技术发展迭代，全球企业对存储芯片需求激增。SK海力士已成为英伟达核心的HBM供应商，三星也在力争加入这一行列。芯片储备缩减反映出口增长加快对韩国芯片的需求带动了整体出口的上升趋势另外，统计局数据还显示，4月份韩国芯片产量大幅增长22.3%，但是低于3月份的30.2%。韩国工厂出货量则增长18.6%，小幅高于3月份的16.4%。全球存储芯片的供应规模，大部分掌握在韩国人手中韩国是世界上最大的两家存储芯片生产商的所在地，其中，全球HBM霸主SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100 AI GPU所搭载的正是SK海力士生产的HBM存储系统。此外，英伟达H200 AI GPU以及最新款基于Blackwell架构的AI GPU的HBM存储也将搭载SK海力士所生产的最新一代HBM存储系统HBM3E，另一大HBM3E供应商则是来自美国的存储巨头美光科技()。另一大来自韩国的存储巨头三星，则是全球最大规模的DRAM与NAND存储芯片供应商，并且近期也在力争成为英伟达HBM以及更新一代的HBM3E供应商之一。三星在DDR系列存储芯片领域(如DDR4、DDR5)，市场份额遥遥领先于其他存储芯片制造商，不同于HBM大规模应用于AI数据中心，DDR系列存储主要用于PC系统的主存储器，提供足够的内存容量和带宽，支持多任务处理和消费电子端数据集的处理，LPDDR(Low Power DDR)系列则应用于智能手机端。在当前存储领域最为火热的HBM市场方面，截至2022年，三大原厂HBM市占率分别为SK海力士50%、三星电子约40%、美光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多数市场份额。有业内人士表示，2023年SK海力士HBM市场份额分布将在55%左右，位列绝对主导地位。2023年席卷全球企业的AI热潮已带动AI服务器需求激增，戴尔科技(Dell)以及超微电脑(Supermicro, SMCI)等全球顶级服务器制造商在其AI服务器中通常使用三星DDR系列以及SSD用于系统的服务器主存储体系，而SK海力士HBM存储系统则与英伟达AI GPU全面绑定在一起使用。从芯片出口的主要类型来看，韩国芯片出口主要集中在DRAM与NAND存储芯片，不过HBM这一DRAM细分领域占据的份额不断提高，其次则是模拟/混合信号IC、CMOS影像传感器、显示驱动IC、电源管理IC等，但是占据的出口比例较低。在2013-2015年全球存储芯片的繁荣时期，库存在大约一年半的时间里没有出现任何增加迹象。在2016-2017年的增长周期中，库存则下降持续了近一年。韩国央行的一份研究报告显示，随着“人工智能热潮”以类似于2016年云端服务器扩张的方式大幅推动芯片需求，最新一轮芯片需求复苏浪潮预计将至少持续到明年上半年。全球顶级金融机构野村近日发布报告称，随着周期性技术复苏扩大到其他消费电子终端市场，将支持整个芯片行业进入下一轮的景气度上升周期，预计将从今年下半年全面持续到2025年。两大存储巨头撑起韩国经济芯片行业，尤其是三星与SK海力士所撑起的存储芯片行业，可谓是韩国经济的“核心支柱”，带动了对韩国先进设备和工业建设项目的投资规模。统计数据显示，今年第一季度，韩国芯片出口同比增幅超过两位数，推动韩国经济环比增长1.3%，远高于经济学家普遍预期的0.6%。美国半导体行业协会 (SIA) 近日公布的数据显示，2024 年第一季度全球半导体销售额总计 1377亿美元，较2023年第一季度大幅增长15.2%。关于2024年半导体行业销售额预期，SIA 总裁兼首席执行官 John Neuffer 在数据报告预计2024 年整体销售额将相比于2023年实现两位数级别增幅。因此，韩国央行在上周大幅上调了2024年的韩国经济增长预测，反映出经济表现有望大幅好于预期，同时维持政策利率不变，以抑制通胀压力。不过，韩国央行并没有上调今年的通胀预期。韩国政府计划于周六公布最新的出口统计数据。经济学家们普遍预计，在存储芯片需求激增的趋势之下，5月份的韩国出口规模可能较上年同期增长15.4%，小幅高于4月份的13.8%。 ... PC版： 手机版：

SSD供不应求 供应商涨势猛烈

SSD供不应求 供应商涨势猛烈 近期，市场传NAND Flash产品企业级固态硬盘 （SSD） 陷入短缺。对此业界认为，主要是由于AI热潮加上全球科技巨头大举建设数据中心，带动存储设备需求大幅增长，导致SSD供不应求。在此之下，存储大厂开始有所动作。三星调涨企业级SSD售价过去两周，业界传企业级SSD陷入短缺，存储大厂三星拟将大幅调高企业级SSD售价25%。据BusinessKorea4月2日报道，传三星预料第二季调涨企业级SSD报价20%~25%，扭转2023年恶劣的下降趋势。三星原先计划比上季度提价约15%，但需求超出预期，让三星决定扩大涨幅。三星企业级SSD占据约一半的市场份额，对价格决策有重大影响力。据TrendForce集邦咨询3月7日研究显示，在2023年第四季度Enterprise SSD市场中，三星以41.7%的市占率占据全球第一，其次是SK集团（33.2%）、美光（10.8%）、铠侠（9.4%）、西部数据（4.9%）。值得一提是，5家厂商同时也是全球前五大NAND闪存巨头。原厂不仅生产NAND Flash闪存颗粒，还研发主控芯片以及生产企业级SSD成品。据此前全球半导体观察统计，主控芯片领域主要有两大阵营，一是上述原厂，基本不对外出售主控芯片，不过美光的主控芯片则既用于自有产品，也出售给其他厂商；二是IC设计类主控厂商，代表企业包括美满（Marvell）、慧荣及群联电子（Phison）等。Marvell是主控芯片先驱，长期占据高端市场，支持在企业和超大规模数据中心环境中使用高性能和大容量的SSD。慧荣、群联主控厂商则通过性价比优势在企业级SSD市场立足。供应端方面，主控芯片供应商慧荣科技总经理苟嘉章此前表示，NAND Flash第二季价格都已谈完，会涨价20%；第一季部分供应商开始获利，第二季后会让多数供应商赚钱。另据TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。其中，受惠于北美及中国云端服务业者（CSP）需求上升，预期今年上半年Enterprise SSD采购量将会逐季成长。由于大容量SSD订单达交率（Order Fill Rate；OFR）偏低，供应商依旧主导价格走势，故买方被迫接受供应商价格可能性升高。同时，部分买方仍试图在下半年旺季前提高库存水位，因此，预估第二季Enterprise SSD合约价季增20~25%，涨幅为全线产品最高。消费级SSD价格续涨与此同时，消费级SSD也传来动静。从批发价上看，根据报道，1~3月SSD指标性产品TLC 256GB批发价（大宗交易价格）为每台28.5美元左右，较前一季（2023年10~12月）上涨12%，容量较大的512GB价格为每台53.5美元，较前一季上涨10%，价格皆为连两季呈现扬升，增幅较前一季上涨约9%呈现扩大。SSD批发价为存储器厂商和买家每一季敲定一次。针对原厂为了获利而提出的涨价要求，大多买家表示接受。其中，据某家PC厂采购负责人表示，因为各家存储器厂商陷入亏损，涨价可理解。2023年第四季度以来市场需求提升，配合NAND闪存芯片制造商的减产策略，SSD价格开始爬升，在较短时间内就有了不小的涨幅。针对SSD的涨势，群联电子潘健成于3月中旬曾发出警告称，SSD进一步的上涨可能导致需求减少，NAND闪存芯片制造商应该努力增加产量来满足市场的需求，而不是通过减产让市场需求超过供应量。群联电子认为，存储设备作为构建PC的必须品，如果价格过高，在全球经济不太景气的大环境下，可能打断PC市场的复苏节奏，让需求再次萎缩，最终将阻碍NAND闪存行业发展。下游厂商抢购SSD 业界呼吁供应跟上需求随着英伟达和特斯拉等全球大型科技公司加速扩张人工智能，市场对存储设备需求大幅提升，Dell Technologies和Hewlett Packard Enterprise（HPE） 等主要服务器公司都竞相抢购SSD。业界人士表示，服务器业者为了扩充存储容量，最近紧急下单，部分产品甚至面临短缺，促使业界考虑增产。从原厂动态来看，据外媒《THE ELEC》3月中旬报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存厂开工率恢复到了70%左右。去年下半年，三星将该厂的开工率降低到了20~30%。这是该晶圆厂自2022年底存储芯片价格和需求开始下滑以来的最低点。NAND Flash大厂铠侠将调整2022年开始的NAND Flash减产，提高产量。铠侠预计到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，具体取决于需求。3月27日，美光宣布其位于西安的封装和测试新厂房破土动工。新厂房预计将于2025年下半年投产，后续根据市场需求逐步投产，落成后，西安工厂总面积将超过13.2万平方米。美光于2023年6月宣布在西安追加投资43亿元人民币，其中包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。据TrendForce集邦咨询3月19日研究表示，在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下，部分供应商为了减少亏损、降低成本，并寄望于今年重回获利。今年三月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成，其余业者均未明显增加投产规模。TrendForce集邦咨询表示，为应对下半年旺季需求，加上铠侠/西部数据本身库存已处低水位，本次扩大投产主要集中112层及部分2D产品，有望在今年实现获利，并进一步带动2024年NAND Flash产业供应位元年增率达10.9%。此外，在制程方面，2024年随着NAND Flash价格反转，供应商的库存水位也开始逐步降低，为了维持长期成本竞争优势，供应商也开始升级制程。其中，又以三星（Samsung）和美光（Micron）最积极，预估两家业者于今年第四季时，200层以上制程产出将超过四成。铠侠和西部数据2024年产出重心仍为112层，而受惠于日本政府补助支持，预计今年下半年将开始移入设备，增加218层产出，预估2025年218层产出更为积极。根据铠侠目前的制程研发规划，为了达成更佳成本结构，并寄望能在技术及成本上重回领先地位，218层之后产品将直接迈入300层以上制程。 ... PC版： 手机版：