美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SKHynix和三星启动HBM3E内存的生产美光透露其正在大规模生产24GB8-HiHBM3E设备，每个设备的数据传输速率为9.2GT/s，峰值内存带宽超过1.2TB/s。与HBM3相比，HBM3E将数据传输速率和峰值内存带宽提高了44%，这对于像NVIDIA的H200这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA的H200产品采用Hopper架构，计算性能与H100相同。同时，它配备了141GBHBM3E内存，带宽达4.8TB/s，比H100的80GBHBM3和3.35TB/s带宽有了显著提升。美光使用其1β（1-beta）工艺技术生产其HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于2024年3月发布36GB12-HiHBM3E产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手SKHynix和三星开始量产HBM3E内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在HBM领域占据10%的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官SumitSadana表示："美光在HBM3E这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的HBM3E和HBM4路线图，以及我们面向人工智能应用的全套DRAM和NAND解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1420987.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1420987.htm

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存SK海力士出局而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB12H（12层堆叠）HBM3EDRAM内存。据介绍，HBM3E12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM38H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424907.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1424907.htm

德邦证券：SK 海力士 HBM3E 良率接近 80% HBM 供不应求

德邦证券：SK海力士HBM3E良率接近80%HBM供不应求德邦证券发布研报称，5月21日，SK海力士高层KwonJae-soon表示，SK海力士的HBM3E良率接近80%，他强调SK海力士今年重点是生产8层堆叠HBM3E。此前，SK海力士CEO郭鲁正于5月2日宣布，公司HBM今年已经全部售罄，明年也基本售罄，并且预计在今年5月提供世界最高性能的12层堆叠HBM3E产品的样品，并准备在第三季度开始量产。同时，美光CEOSanjayMehrotra也表示HBM产能今年已经全部售罄，并且预计其HBM产品在第三财季可为美光DRAM业务以及整体毛利率带来正面贡献。建议关注HBM产业链：赛腾股份(603283.SH)、通富微电(002156.SZ)、联瑞新材(688300.SH)、华海诚科(688535.SH)、香农芯创(300475.SZ)、精智达(688627.SH)等。

消息称三星将向英伟达独家供应 12 层 HBM3E

消息称三星将向英伟达独家供应12层HBM3E据韩国alphabiz消息，英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E，后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。在日前的GTC2024中，黄仁勋曾在三星电子12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认证（JENSENAPPROVED）"的签名。SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。

三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存 2024年第一季度完成验证

三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存2024年第一季度完成验证而HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示：美光已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士已于今年8月中提供8hi（24GB）样品，三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品。预期2024年第一季完成HBM3e产品验证。HBM（HighBandwidthMemory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存的一种，通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起。HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。且CPU处理的任务类型更多，且更具随机性，对速率及延迟更为敏感，HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。四代HBM规格对比至于下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆栈的层数上除了现有的12hi(12层)外，也将再往16hi(16层)发展。预计，HBM412hi将于2026年推出，而16hi产品则于2027年问世。据悉，在HBM4中，将首次看到最底层的Logicdie（又名Basedie）将首次采用采用12nm制程晶圆，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400111.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400111.htm

SK hynix 宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存

SKhynix宣布开发出目前性能最好的HBM3E内存SKhynix计划从明年上半年开始量产HBM3E。据该公司称，最新产品不仅在人工智能内存产品的关键规格--速度方面达到了业界最高标准，而且在容量、散热和用户友好性等所有方面都达到了业界最高标准。在速度方面，HBM3E每秒可处理高达1.15TB的数据，相当于在一秒钟内处理230多部每部5GB大小的全高清电影。此外，通过在最新产品中采用先进的大规模回流模塑底部填充（MR-MUF）尖端技术，该产品的散热性能提高了10%。它还具有向后兼容性，即使是为HBM3准备的系统也可以采用最新产品，而无需修改设计或结构。SKhynixDRAM产品规划主管SungsooRyu表示，该公司通过开发HBM3E，进一步增强了HBM产品阵容的完整性，从而巩固了其市场领导地位，而HBM在人工智能技术的发展中备受瞩目。"通过提高高价值HBM产品的供应份额，SKhynix还将寻求快速的业务转型。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1378373.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1378373.htm