Intel奇迹上演：2年内EUV工艺超越量产多年的台积电、三星

Intel奇迹上演：2年内EUV工艺超越量产多年的台积电、三星Intel以往是全球最先进芯片工艺的领导者，然而在14nm到10nm节点之间遇到了问题，导致台积电、三星追赶上来了，并且率先量产了EUV工艺，不过Intel也在努力反超，CEO制定的路线图意味着他们只要2年就能实现EUV工艺赶超台积电、三星的计划。PC版：https://www.cnbeta.com/articles/soft/1317753.htm手机版：https://m.cnbeta.com/view/1317753.htm

三星电子预计5年内将在芯片代工领域超过主要竞争对手台积电

三星电子预计5年内将在芯片代工领域超过主要竞争对手台积电如今，三星正努力在芯片代工制造领域占据领先地位，而台积电早已确立了自己作为全球领先代工芯片制造商的地位。虽然三星电子在先进制程工艺的量产时间上基本能跟上台积电的节奏，但它在代工市场上的份额与台积电相比有明显差距，后者长期占据超过50%的市场份额。三星电子总裁兼代工业务负责人SiyoungChoi表示，台积电在芯片制造方面远远领先于三星。他认为，三星需要五年时间才能赶上并超过台积电。据悉，三星电子领先其竞争对手台积电，率先开始量产3纳米芯片，这使其成为全球第一家量产3纳米芯片的代工厂。与台积电的3纳米制程工艺不同，三星的3纳米制程工艺采用的是更先进的GAA晶体管，而不是鳍式场效应晶体管（FinFET）。外媒称，三星电子计划通过在3纳米制程工艺上采用GAA晶体管，缩小其与台积电的技术差距。该公司认为，随着它和台积电推出下一代2纳米制程工艺，它可以在5年内超过台积电。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1358341.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1358341.htm

台积电3nm制程工艺计划29日开始商业化量产 较三星电子晚近半年

台积电3nm制程工艺计划29日开始商业化量产较三星电子晚近半年作为台积电旗下6座12英寸超大晶圆厂之一的晶圆十八厂，一期是在2018年的1月份正式动工建设的，建成之后用于5nm制程工艺的量产，因而这一晶圆厂也是台积电5nm制程工艺的主要生产基地。而随着3nm制程工艺的商业化量产，未来一段时间晶圆十八厂就将是台积电先进制程工艺的主要生产基地，也将是他们主要的营收来源。台积电的3nm制程工艺在本月29日开始商业化量产，也就意味着他们的这一先进制程工艺，在量产的时间上较竞争对手三星电子晚了近半年。在3nm制程工艺上，台积电和三星电子是不同的路线，三星电子率先采用全环绕栅极晶体管架构，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。三星电子在6月30日，就已开始采用3nm制程工艺为相关的客户代工晶圆，首批产品在7月25日就已出货。相关文章:台积电将以3纳米量产仪式回击岛内批评声音...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1336337.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1336337.htm

三星电子公布2纳米芯片量产路线图 将于2027年量产1.4纳米芯片

三星电子公布2纳米芯片量产路线图将于2027年量产1.4纳米芯片根据该计划，三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。三星表示，与3纳米工艺相比，2纳米芯片的性能提高了12%，功率效率提高了25%，面积减少了5%。作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业，三星电子还表示，将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。去年6月，三星电子开始量产采用GAA（全环绕栅极）技术的3纳米芯片。当时，三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年量产。但在周二的SFF论坛上，三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367841.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367841.htm

台积电2纳米芯片或2025年量产

台积电2纳米芯片或2025年量产台湾芯片代工厂台积电2纳米制程将于2025年量产，市场看好进度可望领先对手三星（Samsung）及英特尔（Intel）。综合中央社和台湾经济日报报道，台积电先进制程进展顺利，3纳米在今年下半年量产，升级版3纳米（N3E）制程将于3纳米量产1年后量产，即2023年量产，2纳米预计于2025年量产。台积电研究发展资深副总经理米玉杰表示，将在2024年取得ASML下世代极紫外光微影设备（high-NAEUV），为客户发展相关的基础设施与构架解决方案。台积电业务开发资深副总经理张晓强则说，2024年取得设备后，初期主要用于与合作伙伴共同研究，尚不会量产。台积电2纳米厂将座落于竹科宝山二期扩建计划用地中，台湾竹科管理局已展开公共设施建设，台积电2纳米厂也开始进行整地作业。台积电2纳米首度采用纳米片架构，相较N3E制程，在相同功率下，速度提升10%至15%，在相同速度下，功耗降低25%至30%。台积电总裁魏哲家此前在台湾技术论坛中强调，台积电2纳米将会是密度最小、效能最好的技术。市场也看好，台积电2纳米进度将领先对手三星及英特尔。发布：2022年9月13日9:12AM

台积电开始量产3纳米芯片

台积电开始量产3纳米芯片台积电周四开始大规模生产下一代芯片，确保该岛仍然是华盛顿和北京政府争夺的一项关键技术的关键。AppleInc.的主要芯片制造商开始在台湾南部的台南园区批量生产先进的3纳米芯片。为此，台积电效仿三星电子公司，准备生产一项技术，该技术有望控制从iPhone到互联网服务器再到超级计算机的下一代尖端设备系列。周四，台积电董事长刘德音表达了对芯片需求长期前景的信心，并承诺在台湾新竹和台中市生产未来几代2nm芯片。“未来十年半导体产业将快速增长，台湾必将在全球经济中扮演更重要的角色，”刘说。对3nm芯片的需求“非常强劲”。台湾拥有全球90%以上的尖端芯片制造能力。全球政策制定者和客户越来越担心他们对北京威胁要入侵的岛屿的技术依赖，并推动台积电将部分生产转移到国外。——