三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术

三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术三星晶圆代工厂业务部门主管崔时荣（SiyoungChoi）在主题演讲中强调，高性能和低功耗芯片是实现AI的最重要因素。该公司还推出了一项名为“三星人工智能解决方案”的交钥匙一站式服务，可以让客户利用三星的晶圆代工、存储芯片和高级封装服务。三星表示，这将简化客户的供应链，并使其产品发布速度提升20%。该公司透露，在过去一年时间内，其AI相关订单猛增80%。此次论坛期间，三星还分享了将在2027年推出硅光子技术的计划，这也是三星首次宣布采用硅光子技术。该技术在芯片上利用光纤传输数据，相比传统线缆/电路可以大幅提升I/O数据传输速度。此外，三星也投资了硅光子技术公司CelestialAI。三星表示，采用BSPDN技术的2nm制程工艺也将于2027年推出。这一时间晚于其竞争对手英特尔将于2024年推出类似技术的计划。BSPDN技术将供电电路设计在晶圆背面，可以避开信号线，防止相互干扰。该技术可显著提升芯片功率、性能和面积效率。三星透露其2nm工艺路线图：用于移动领域的SF2和SF2P将分别于2025年和2026年推出；面向人工智能和高性能计算（HPC）的2nm工艺将于2026年推出，早于BSPDN工艺。该公司还将在2027年推出用于汽车的2nm工艺。三星重申，计划于2027年推出1.4nm工艺，目前正在确保该技术的性能和良率。该公司计划于2025年采用ASMLHighNAEUV光刻机，用于1.4nm制程芯片制造。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435337.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435337.htm

三星发布先进芯片工艺路线图：新版 2 纳米制程 2027 年量产 研发生产时间缩短 20%

三星发布先进芯片工艺路线图：新版2纳米制程2027年量产研发生产时间缩短20%三星电子在“2024年三星代工论坛”上，发布未来多项芯片技术的进展，并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务，整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务，以更快地生产人工智能芯片，以利用人工智能热潮。三星表示，客户只需一个沟通渠道，就能同时调度三星的存储芯片、晶圆制造和封装团队，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时有望缩短20%。三星晶圆制造总裁兼总经理崔时荣（SiyoungChoi）表示：“我们真正生活在AI时代──生成式AI问世正在彻底改变科技格局。”三星在芯片代工领域与台积电展开激烈的竞争，希望在AI代工领域能够迎头赶上。三星引进所谓晶背供电（BSPDN）的先进制程，将电源互连移至晶片背面。此技术提升功率、性能和面积，能用于AI芯片和高效能运算，相较于第一代的2纳米制程显著降低电压，量产时间在2027年。(澎湃新闻)

三星披露下一代芯片背面电源传输技术BSPDN 加入与英特尔的竞争行列

三星披露下一代芯片背面电源传输技术BSPDN加入与英特尔的竞争行列从形式上看，制造商采用的是通过晶圆正面提供电源的方法，这种方法虽然能完成任务，但却带来了功率密度的下降，最终导致性能受损。新的BSPDN方法尚未被代工厂采用，而三星是第一个披露创新方法结果的公司。据这家韩国巨头称，与传统方法相比，他们减少了14.8%的面积。面积的减少使公司有更多的空间在芯片中添加更多的"好东西"，如晶体管，从而提高整体性能。图片来源：TheElec三星还报告称，导线长度减少了9.2%，虽然我们不会深入探讨其中的物理原理，但概括地说，长度减少导致电阻降低，允许更大的电流流过，从而将功率损耗降至最低，并改善了功率传输。三星并不是第一家披露"BSPDN"方法的公司，因为早在今年6月，英特尔也举行了有关该方法的发布会，并将其命名为"PowerVia"。蓝队（TeamBlue）宣布计划在其英特尔20A节点中集成这种新方法，并披露了90%的芯片利用率。该公司表示，"PowerVia"将解决硅架构中的互连瓶颈问题，通过晶圆背面提供电力，从而实现连续传输。英特尔预计在即将于2024年推出的ArrowLakeCPU中使用这种新方法。三星尚未透露新的功率传输方法是否会集成到未来的工艺中。不过，根据该公司目前披露的信息，我们认为下一代工艺可能会在英特尔实施该技术之后稍晚一些采用该技术。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1376497.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1376497.htm

三星将在2025年量产卷轴屏手机 可通过背面操作

三星将在2025年量产卷轴屏手机可通过背面操作三星在官方演示中将屏幕从49毫米拉伸到254.4毫米，提供5倍的屏幕放大体验。至于无边框，三星和LG公司正在开发无正面边框的iPhoneOLED显示屏，最终目标是将边框宽度设置为零。据报道，为了满足苹果的要求，三星显示器和LG显示器正在致力于改进薄膜封装(TFE)技术和屏下摄像头(UPC)技术，以及确保天线空间。尽管这项技术还需进一步发展，但其应用前景备受期待。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1379285.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1379285.htm

三星电子公布2纳米芯片量产路线图 将于2027年量产1.4纳米芯片

三星电子公布2纳米芯片量产路线图将于2027年量产1.4纳米芯片根据该计划，三星电子将分别于2025年、2026年、2027年开始批量生产用于移动应用、高性能计算和汽车的2nm芯片。三星表示，与3纳米工艺相比，2纳米芯片的性能提高了12%，功率效率提高了25%，面积减少了5%。作为全球最大的存储芯片制造商和第二大代工企业，三星电子还表示，将按计划于2027年开始量产1.4纳米芯片。去年6月，三星电子开始量产采用GAA（全环绕栅极）技术的3纳米芯片。当时，三星已经表示其2纳米工艺节点处于早期开发阶段，计划于2025年量产。但在周二的SFF论坛上，三星首次公布了2纳米及以下节点的详细路线图。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1367841.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1367841.htm

三星目标在2025年量产2纳米GAA晶圆 同时还将准备三种3纳米变体

三星目标在2025年量产2纳米GAA晶圆同时还将准备三种3纳米变体三星尚未在其3nmGAA节点上获利，这主要归功于其产量低，导致与其他公司的合作不可行。根据最新报道，这家半导体制造商的目标是推出该技术的三个迭代版本，类似于台积电在自己的3nm节点上所做的那样，从苹果公司专用的"N3B"开始。三星实现了栅极全方位技术的商业化，该技术具有多项优势。例如，它可以调节、放大和控制半导体内的电流。随着芯片体积越来越小，控制电流变得越来越困难，但GAA通过重新设计晶体管结构来提高能效，从而解决了这一问题。尽管有这些优势，但三星在争取各种客户供应晶圆方面基本上都不成功，因为它不断遇到产量问题。再加上高昂的生产成本，该公司的潜在客户并不看好这种合作关系。此前，我们曾报道三星的3纳米GAA良率仅为可怕的20%，但这家代工巨头已经成功扭转了局面，使这一数字达到了原来的三倍。不过，在整体良率方面，三星仍落后于台积电，因此高通（Qualcomm）和联发科（MediaTek）只对这家台湾半导体公司的技术表现出信心也就不足为奇了。三星在其GAA工艺中开发了一种名为"MBCFET"的专有技术，每一次3纳米迭代都会带来性能和效率的提升。三星已计划推出其3纳米GAA技术的第三次迭代，据说该技术可将功率损耗降低50%以上，并因面积缩小而实现更高的集成度。也许通过未来的研究，三星可以提高产量，使其达到足够高的数字，从而使客户开始对3纳米GAA和2纳米GAA版本产生兴趣。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429215.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1429215.htm