SK Hynix 首款 300TB 固态硬盘即将问世

SKHynix首款300TB固态硬盘即将问世在SK海力士看来,开发300TB的SSD很有必要,因为AI时代全球产生的数据总量将从2014年的15ZB增加到2030年的660ZB(ZB为泽它字节、2的70次方字节)。如此庞大的数据量必须存储在某个地方,而这就是100TBHDD和300TBSSD发挥作用的时候。此外,SK海力士CEO还表示,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429566.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1429566.htm

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SK 海力士 CEO 郭鲁正:2025 年生产的 HBM 产品基本售罄

SK海力士CEO郭鲁正:2025年生产的HBM产品基本售罄韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。(界面新闻)

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SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据

SK海力士全球首家量产HBM3E内存1秒处理超1TB数据随后SK海力士发布公告称,其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产,并将从本月下旬起向客户供货。据介绍,在存储半导体三大巨头(三星电子、SK海力士、美光)中,SK海力士是首家实现量产HBM3E供应商。HBM3E每秒可处理1.18TB数据,相当于在1秒内可处理230部全高清(FHD)级电影。在散热方面,SK海力士表示其HBM3E采用了MR-MUF技术,散热性能较上一代产品提高了10%,从而在散热等所有方面都达到了全球最高水平。SK海力士高管表示:“公司通过全球首次HBM3E投入量产,进一步强化了领先用于AI的存储器业界的产品线。”其还表示,公司积累的HBM业务成功经验,将进一步夯实与客户的关系,并巩固全方位人工智能存储器供应商的地位。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424206.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424206.htm

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SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中,SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示:“纵观当前的市场形势,大型科技客户正在加快新产品的发布时间,以确保在AI领域领先。因此,我们也在提前讨论今年和明年的计划,以确保及时供应下一代HBM产品。”SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商,但却是HBM的主要供应商,HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商,并在随后几年推出了后续产品——HBM2、HBM2E以及最新的第四代HBM3芯片。2023年4月,SK开发出全球首款12层HBM3DRAM产品,内存容量为24千兆字节(GB),为业内最大。2023年8月,该公司推出了业界性能最佳的第五代HBMDRAMHBM3E,用于AI应用,并向其客户NVIDIACorp.提供了样品以进行性能评估。今年3月,SK海力士开始大批量生产HBM3E芯片,这是业界推出的另一个公司,同时表示将把第六代HBM4芯片的量产提前到2025年。大容量NAND受到业界关注SK海力士副总裁兼HBM工艺集成(PI)负责人KwonUn-oh表示:“通过先发制人地确保技术和量产专业知识,我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人SonHo-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示,受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动,预计今年全球DRAM市场规模将达到65%,达到117万亿韩元(850亿美元)。本月初,首席执行官KwakNoh-jung在新闻发布会上表示,其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁OhHae-soon表示,NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示:“随着对大规模AI服务器的需求不断增长,eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心(RTC)副总裁YiJae-yun表示,公司还在密切关注新兴存储芯片,如仅选择器存储器(SOM)、自旋存储器和突触存储器,这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格,以及磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和相变存储器(PCM)芯片。分析师表示,在存储芯片制造商中,SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者,因为它是NVIDIACorp.的最大AI芯片供应商,而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示,如果SK海力士看到AI芯片融资需求,该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1433025.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1433025.htm

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2023年4月26日SK海力士(SKhynix)公布了截至2023年3月31日的2023财年第一财季财务报告,因存储器半导体市场持续低迷,需求疲软和产品价格下跌,本季度营收环比减少,且营业亏损加大。SK海力士表示,预计第一季度为低点,销量会逐渐递增,第二季度业绩会有所回升。财报显示,SK海力士在2023财年第一财季的收入为5.0881万亿韩元(约合38.04亿美元/人民币263.33亿元),同比减少58%,环比减少34%;营业亏损为3.4023万亿韩元(约合25.43亿美元/人民币176.24亿元),相比去年同期是由盈转亏,环比减少79%;净亏损为2.5855万亿韩元(约合19.33亿美元/人民币133.81亿元),相比去年同期是由盈转亏,环比减少25%。同时营业损失率为67%,净损失率为51%。SK海力士表示,随着第一季度客户的库存转为下跌趋势,并且第二季度起存储器减产将使供应商的库存减少,预计下半年市场环境将得到改善。此外,随着面向ChatGPT等人工智能场景的服务器市场规模增长,采用高容量存储器的客户在增加,这一点也将对市场产生积极影响。为此SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM、采用176层NAND的SSD、uMCP产品为中心的销售,以提升营业收入。SK海力士财务担当副社长(CFO)金祐贤表示,今年DDR5、LPDDR5、HBM3等产品呈现需求增长趋势,SK海力士将以这些产品为中心,继续巩固人工智能时代高端市场的领导地位。频道:@TestFlightCN

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SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能在媒体招待会上,韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍,由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求,公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前,公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测,未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增,目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%,预计到2028年可以达到61%。SK海力士上个月表示,它计划斥资约146亿美元在韩国建造一座新的存储芯片工厂以满足这一需求。此外,该公司还将在印第安纳州建造一座耗资40亿美元的封装厂,这也是该公司在美国的第一座封装厂。在回答关于公司如何支付投资的问题时,首席财务官KimWoo-hyun表示,他预计公司将从运营中产生足够的现金,为必要的项目提供资金。从中长期来看,公司计划在考虑现金生成和财务健康之间的平衡的情况下获得资金。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1429406.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1429406.htm

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SK海力士发布2023财年第三季度财务报告https://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-reports-third-quarter-2023-financial-results/SK海力士解释道:“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加,公司业绩在第一季度低点过后持续改善,特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好,与上季度相比营业收入增长24%,营业损失减少38%。”顺应这一趋势,SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换,同时扩大对HBMTSV技术的投资。

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