【天才少年在家自制芯片：10微米的多晶硅栅极工艺上装100个晶体管】 2018 年，Sam Zeloof 还只是一名高三的学生，

【天才少年在家自制芯片：10微米的多晶硅栅极工艺上装100个晶体管】 2018 年，Sam Zeloof 还只是一名高三的学生，就已经制作了首个自制（平版印刷）的集成电路，拥有 6 个晶体管，他将其命名为“Z1”。现在，他在家中又制造了一个更复杂的Z2。 #抽屉IT

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％ 按照Intel的最新官方数据，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel解释说，半导体行业目前的惯例是，制程工艺节点的命名，不再根据晶体管实际的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为，Intel 3的性能水平，大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel 3其实就是Intel 4的升级版本，主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化了互连技术堆栈。此外，得益于Intel 4的实践经验，Intel 3的产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。其中，Intel 3-T将引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel 3-E将扩展更多功能，比如射频、电压调整等；Intel 3-PT将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。Intel强调说，Intel 3是一个重要的节点，大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”，还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来，Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel 20A首发应用于Arrow Lake消费级处理器，2024年下半年量产发布。Intel 18A则是Intel 20A的升级版，将在2025年用于代号Clearwater Forest的服务器处理器，以及代号Panther Lake的消费级处理器，并向代工客户大规模开放。再往后，就是Intel 14A。 ... PC版： 手机版：

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％ Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合Intel 4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。 ... PC版： 手机版：

ℹIntel 披露 2 个严重 BIOS 漏洞，影响多款自家处理器#ClaireC

ℹIntel 披露 2 个严重 BIOS 漏洞，影响多款自家处理器#ClaireC Intel 近日披露了两个对自家处理器系列造成高严重影响的 BIOS 漏洞，而且会对旗下多款处理器造成影响，于此 Intel 也建议被波及...

Intel 14A工艺至关重要 2025年之后稳定领先

Intel 14A工艺至关重要 2025年之后稳定领先 其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，最多288个。Intel 20A和Intel 18A两个节点正在顺利推进中，分别相当于2nm、1.8nm，将继续采用EUV技术，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。凭借它们两个，Intel希望能在2025年重夺制程领先性。之后，Intel将继续采用创新技术，推进未来制程节点的开发和制造，以巩固领先性。其中一个关键点就是High NA EUV技术，而数值孔径（NA）正是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，Intel 14A 1.4nm级就将采用High NA EUV光刻技术。为了制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的同时，Intel也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。此外，Intel还公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的数个演化版本，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。 ... PC版： 手机版：

【150亿晶体管的苹果A15芯片，乏善可陈】关于该芯片CPU的性能，苹果也没有提供与前代A14芯片的比较数据，而是选择将自己与竞

【150亿晶体管的苹果A15芯片，乏善可陈】关于该芯片CPU的性能，苹果也没有提供与前代A14芯片的比较数据，而是选择将自己与竞争对手的芯片进行比较，这在过往也是很少发生的。//@i冰宇宙 ：今年A15处理器CPU是属于躺平了，躺着让安卓追，也追不上。 #抽屉IT