【天才少年在家自制芯片：10微米的多晶硅栅极工艺上装100个晶体管】 2018 年，Sam Zeloof 还只是一名高三的学生，

【天才少年在家自制芯片：10微米的多晶硅栅极工艺上装100个晶体管】 2018 年，Sam Zeloof 还只是一名高三的学生，就已经制作了首个自制（平版印刷）的集成电路，拥有 6 个晶体管，他将其命名为“Z1”。现在，他在家中又制造了一个更复杂的Z2。 #抽屉IT

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％ 按照Intel的最新官方数据，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel解释说，半导体行业目前的惯例是，制程工艺节点的命名，不再根据晶体管实际的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为，Intel 3的性能水平，大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel 3其实就是Intel 4的升级版本，主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化了互连技术堆栈。此外，得益于Intel 4的实践经验，Intel 3的产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。其中，Intel 3-T将引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel 3-E将扩展更多功能，比如射频、电压调整等；Intel 3-PT将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。Intel强调说，Intel 3是一个重要的节点，大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”，还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来，Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel 20A首发应用于Arrow Lake消费级处理器，2024年下半年量产发布。Intel 18A则是Intel 20A的升级版，将在2025年用于代号Clearwater Forest的服务器处理器，以及代号Panther Lake的消费级处理器，并向代工客户大规模开放。再往后，就是Intel 14A。 ... PC版： 手机版：

Intel 14A工艺至关重要 2025年之后稳定领先

Intel 14A工艺至关重要 2025年之后稳定领先 其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，最多288个。Intel 20A和Intel 18A两个节点正在顺利推进中，分别相当于2nm、1.8nm，将继续采用EUV技术，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。凭借它们两个，Intel希望能在2025年重夺制程领先性。之后，Intel将继续采用创新技术，推进未来制程节点的开发和制造，以巩固领先性。其中一个关键点就是High NA EUV技术，而数值孔径（NA）正是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，Intel 14A 1.4nm级就将采用High NA EUV光刻技术。为了制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的同时，Intel也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。此外，Intel还公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的数个演化版本，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。 ... PC版： 手机版：

【150亿晶体管的苹果A15芯片，乏善可陈】关于该芯片CPU的性能，苹果也没有提供与前代A14芯片的比较数据，而是选择将自己与竞

【150亿晶体管的苹果A15芯片，乏善可陈】关于该芯片CPU的性能，苹果也没有提供与前代A14芯片的比较数据，而是选择将自己与竞争对手的芯片进行比较，这在过往也是很少发生的。//@i冰宇宙 ：今年A15处理器CPU是属于躺平了，躺着让安卓追，也追不上。 #抽屉IT

AMD 在 CES 2023展会上推出了下一代面向数据中心的APU产品Instinct MI300。

AMD 在 CES 2023展会上推出了下一代面向数据中心的APU产品Instinct MI300。 该产品采用chiplet设计，拥有13个 chiplets，使用 TSMC 5nm 制造，晶体管数量高达 1460 亿个。 该产品拥有24个Zen4 CPU 内核，并融合了CDNA 3 图形引擎，以及共享的统一内存池，包括 Infinity Cache 高速缓存和 8 颗 HBM3 128GB 内存设计。 该产品晶体管数量超越了具有 1000 亿晶体管的 Intel Ponte Vecchio。

可重构晶体管可通过编程执行不同功能

可重构晶体管可通过编程执行不同功能 研究人员解释说，射频晶体管是电子电路和芯片设计技术的重大突破。可编程晶体管使用的材料与半导体工业使用的材料相同，即硅和锗，它们可以显著改善功耗和能效。传统的晶体管开发包括化学掺杂，这是一种用外来原子"污染"半导体材料的技术。掺杂过程决定了电流的流动方向，一旦晶体管被制造出来就无法改变。射频晶体管用静电掺杂取代了化学掺杂，这是一种不会永久改变半导体材料化学结构的新方法。一旦电场取代了"复杂而昂贵"的化学掺杂过程，晶体管就可以动态地重新配置，以执行不同的逻辑运算。维也纳工业大学教授沃尔特-韦伯（Walter M. Weber）说，重配置工作在"基本开关单元"，而不是将信息路由到固定的功能单元。韦伯补充说，这种方法对于构建未来的可重构计算和人工智能应用"大有可为"。研究人员于 2021 年开发出了 RFET 基本技术，现在他们已经证明可重写晶体管可用于构建芯片中的所有基本逻辑电路。最近发表的研究报告展示了一种反相器、NAND/NOR 和 XOR/XNOR 门，它们能够在运行时动态切换工作模式。静电掺杂所需的额外栅极需要占用空间，这意味着 RFET 并不像标准 CMOS 晶体管那么小。新的可编程晶体管不可能很快取代固定晶体管，但它们可以共存，并为某些灵活性至关重要的计算应用提供动力。研究人员解释说，RFET 的可重构特性可以减少逻辑电路所需的晶体管总数。更少的晶体管意味着制造芯片所需的空间更小，功耗也会降低。通过切换单个晶体管或整个电路的极性，单个电路可以提供多种功能。 ... PC版： 手机版：