台积电宣布“A16”芯片制造技术 将于2026年底开始投产

台积电宣布“A16”芯片制造技术 将于2026年底开始投产 分析师告诉路透社，周三公布的技术可能会让人质疑英特尔 2 月份的说法，即它将利用英特尔称为 "14A"的新技术超越台积电，制造出全球最快的计算芯片。台积电业务发展高级副总裁张晓强（Kevin Zhang）告诉记者，由于人工智能芯片公司的需求，该公司开发新的 A16 芯片制造工艺的速度比预期的要快，但他没有透露具体客户的名字。张说，台积电认为它不需要使用 ASML 的新型 "高 NA EUV "光刻工具机来制造 A16 芯片。英特尔上周透露，它计划率先使用这种每台耗资3.73亿美元的设备来开发14A芯片。台积电还披露了一项从芯片背面为计算机芯片供电的新技术，该技术有助于加快人工智能芯片的速度，并将于 2026 年推出。英特尔公司也宣布了一项类似的技术，旨在成为其主要竞争优势之一。分析师们说，这些公告让人对英特尔将重新夺回世界芯片制造桂冠的说法产生怀疑。分析公司 TechInsights 的副主席 Dan Hutcheson 在谈到英特尔时说："这是值得商榷的，但在某些指标上，我不认为他们领先。"但 TIRIAS Research 的负责人凯文-克鲁威尔（Kevin Krewell）警告说，英特尔和台积电的技术距离交付仍有数年之遥，需要证明真正的芯片与他们的主题演讲相匹配。 ... PC版： 手机版：

台积电超级电轨背后供电技术比英特尔技术更复杂，可提高晶片效能

台积电超级电轨背后供电技术比英特尔技术更复杂，可提高晶片效能 台积电使用超级电轨的 A16 将较 N2P 相同 Vdd (工作电压) 下，运算速度增加 8%~10%，或相同运算速度下，功耗降低 15%~20%，晶片密度提升高达 1.10 倍，支援资料中心产品。

台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片

台积电计划2026年下半年量产1.6纳米芯片 台积电4月24日在美国加州圣克拉拉举行的一场会议上宣布，名为“A16”的新芯片制造技术将于2026年下半年量产。据《日经新闻》报道，“A16”是指1.6纳米芯片技术。称引入1.6纳米芯片制造技术可以“极大地提高逻辑芯片密度和性能”。与此同时，英特尔的目标是到2025年采用2纳米和1.8纳米技术，三星的目标是到 2027年采用1.4纳米技术。 、

台积电2nm制程量产预计将延迟到2026年底

台积电2nm制程量产预计将延迟到2026年底 据经济日报报道，台积电先进制程近况备受各界关注，根据 Counterpoint 研究团队发布的最新报告，预计台积电3纳米旗舰智能手机应用将在2024年下半年增长，但2纳米制程量产将推迟至2026年底。Counterpoint Research 半导体研究副总监 Brady Wang 表示，台积电的主要增长来源于其先进制程技术。随着人工智能半导体的需求急剧增加，台积电在短期内的表现将更加突出。不过该机构分析也提到，预计台积电2纳米技术的量产将推迟至2026年，届时将随着苹果 iPhone 18 系列的推出而问世。

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备

台积电 发布A16制程工艺，预计2026年投产，不用 High-NA EUV 设备 他这个 A16 应该是指 16Å (1.6nm)，对应 Intel 14A 制程 但这么命名乍一看还以为是的A16

台积电为 A16 工艺推出背面供电网络技术

台积电为 A16 工艺推出背面供电网络技术 台积电 A16 工艺最重要的创新是引入了超级电源轨 (SPR)，这是一种复杂的背面供电网络 (BSPDN)。新工艺节点有望在相同电压下将时钟频率提高10%，在相同频率和复杂度下将功耗降低 15%-20%，根据实际设计使晶体管密度提高 7%-10%。 BSPDN 可以将信号网络和供电网络分离，提高晶体管密度并改善供电，从而影响性能。台积电的 SPR 使用特殊接触将背面供电网络插入每个晶体管的源极和漏极，同时还可以降低电阻，以获得尽可能高的性能和功率效率。从生产角度来看，这是最复杂的 BSPDN 实现之一，比英特尔的 Power Via 更复杂。