中国芯片主动降低处理器速度以规避美国制裁

中国芯片主动降低处理器速度以规避美国制裁阿里巴巴和初创公司比邻科技正在调整他们最先进的芯片设计，以降低处理速度，避免美国实施的旨在压制中国计算能力的制裁。"你必须要低调，"一家竞争对手的无工厂初创公司的上海创始人说。"他们已经做了太多的公关，他们的规格是白纸黑字的。现在台积电很难帮助他们找到一条出路。"与台积电合作的设计集团的三名中国工程师说，台湾集团或任何工厂都很难准确判断一个处理器的功率。因此，台积电已经开始要求中国客户自行报告其芯片的输出，并签署免责声明。中国工程师说，弄清什么是合规的是很复杂的，因为华盛顿对计算芯片门槛中的一个关键指标的规则不明确，这个指标被称为双向传输率，或者说它们相互发送数据的速度。出口管制规定芯片的上限为每秒600千兆字节（GB/s）以下。"有几种方法可以计算[这个传输率]，"比邻公司的一位不愿透露姓名的高级工程师说。该人士说，该公司已经开始调整其设计，以降低处理器的速度，希望由台积电来制造。在美国实施制裁之前，Biren网站的存档版本显示其第一款处理器BR100的规格，该处理器的传输速度为640GB/s，超过了美国的限制。根据研究机构Bernstein的计算，现在Biren的网站显示BR100的规格较慢，为576GB/s。半导体研究集团SemiAnalysis的首席分析师迪伦-帕特尔（DylanPatel）首先注意到比瑞恩对规格的改变，他说该公司正试图通过禁用部分芯片来降低其处理器的速度。"他们没有改变芯片设计，所以这就像在说'拉勾勾保证我们以后不会重新启用它'，目前还不清楚美国政府是否会接受这一点，"帕特尔说。——（节选）

台积电将能制造120mm*120mm的芯片

台积电将能制造120mm*120mm的芯片最新版本的CoWoS允许台积电制造比光掩模（或掩模版，858mm2）尺寸大约3.3倍的硅中介层。因此，逻辑、8个HBM3/HBM3E内存堆栈、I/O和其他小芯片最多可占用2831mm2。最大基板尺寸为80×80毫米。AMD的InstinctMI300X和Nvidia的B200都使用这种技术，尽管Nvidia的B200处理器比AMD的MI300X更大。下一代CoWoS_L将于2026年投入生产，将能够实现约5.5倍掩模版尺寸的中介层（这可能不如去年宣布的6倍掩模版尺寸那么令人印象深刻）。这意味着4719mm2将可用于逻辑、最多12个HBM内存堆栈和其他小芯片。此类SiP还需要更大的基板，根据台积电的幻灯片，我们正在考虑100x100毫米。因此，此类处理器将无法使用OAM模块。台积电不会就此止步：到2027年，它将拥有CoWoS技术版本，该技术将使中介层的尺寸达到光罩尺寸的八倍或更多倍，这将为小芯片提供6,864平方毫米的空间。台积电设想的其中一种设计依赖于四个堆叠式集成系统芯片(SoIC)，与12个HBM4内存堆栈和额外的I/O芯片相配合。这样一个庞然大物肯定会消耗巨大的功率——我们这里讨论的是数千瓦，并且需要非常复杂的冷却技术。台积电还预计此类解决方案将使用120x120mm基板。有趣的是，今年早些时候，Broadcom展示了一款定制AI处理器，具有两个逻辑芯片和12个HBM内存堆栈。我们没有这款产品的具体规格，但它看起来比AMD的InstinctMI300X和Nvidia的B200更大，尽管没有台积电2027年计划的那么大。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1428876.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1428876.htm

台积电开始为英特尔生产基于3纳米工艺的"Lunar Lake"芯片

台积电开始为英特尔生产基于3纳米工艺的"LunarLake"芯片新的"LunarLake"芯片与"MeteorLake"一样，是组合式的处理器，CPU内核、iGPU、NPU和内存控制器位于一个单一模块上，称为Computetile，采用3纳米节点制造；而SoC和I/O组件则分解在芯片的另一个模块上，即SoCtile，采用台积电6纳米节点制造。英特尔还没有详细介绍"ArrowLake"处理器的具体细节，只是提到该处理器将采用与"MoonLake"处理器相同的"LionCove"P核和"Skymont"E核，但采用了大家更熟悉的环形总线配置，即E核集群与P核共享三级缓存（"月湖"处理器不采用这种配置）。"ArrowLake"还采用了与"MoonLake"相同的基于Xe2图形架构的iGPU，并将配备符合微软Copilot+AIPC要求的NPU。前者的神秘之处在于英特尔将以何种方式来组织各种芯片或芯片组。2024年2月的报道提到，英特尔将利用台积电3纳米工艺制造"ArrowLake"的分解图形芯片，但我们现在从"MoonLake"中了解到，英特尔并不回避让台积电制造其CPU内核。首批采用"MoonLake"的笔记本电脑预计将在2024年第三季度上架，"ArrowLake"z则将在第四季度上市。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1435213.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1435213.htm

苹果A17仿生芯片可能在2024年转向台积电N3E工艺以降低生产成本

苹果A17仿生芯片可能在2024年转向台积电N3E工艺以降低生产成本虽然我们应该期待即将到来的旗舰产品有许多好处，包括主要的效率优势，但晶圆成本始终很高。为了减轻这些开销，据说苹果将在2024年转用台积电的N3E工艺，但这可能会带来一些不良影响，由于改用台积电的N3E工艺，A17Bionic可能会遭受性能损失。早前有报道称，苹果已经获得了台积电90%的3纳米出货量，这表明该技术巨头希望在高通、联发科等公司获得该技术之前，在发布尖端芯片方面领先于竞争对手。苹果的智能手机芯片组竞争对手今年将坚持使用台积电的4纳米工艺，这表明晶圆成本已经到了难以承受的地步，这可能是苹果再度对iPhone15Pro和iPhone15ProMax涨价的原因之一。为了缓解这些不断增加的组件成本，一位名为"手机芯片大师"的微博用户表示，苹果将在2024年为A17仿生芯片转向台积电的N3E工艺，据说高通和联发科明年也将采用这一制造节点。虽然这个传闻中的决定将意味着芯片组的生产成本会更低，但A17仿生会在性能上有所损失，这听起来很奇怪。之所以这样说是因为与台积电的N5工艺相比，N3的功耗最多可降低30%，而N3E的功耗最多可降低32%。另外，N3E与N5相比，性能最多可提高18%，而N3最高只能达到15%。假设M3也被推迟到明年年初，它最终可能也会采用N3E工艺，但它的到来是否会有同样的传言的性能损失？这一部分还不清楚。另外，如果有性能损失，该微博用户很方便地忽略了两个A17仿生变体之间的数字差异。因为新的制造工艺会以某种方式让A17仿生机的性能变差，这是令人困惑的。我们当然希望情况不是这样。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1364687.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1364687.htm

苹果公司将继续成为台积电2024年的最大客户 3纳米芯片订单量将比去年增长50%

苹果公司将继续成为台积电2024年的最大客户3纳米芯片订单量将比去年增长50%今年将有更多iPhone机型采用3纳米芯片组，据说苹果公司将在今年晚些时候推出A18和A18Pro。除了采用下一代"N3E"工艺量产外，据报道，苹果即将推出的iPhone16系列的A18系列还将采用经过大幅改进的神经引擎，从而实现升级的人工智能生成功能。早前有消息称，新的3nm芯片组将适用于苹果即将推出的所有iPhone机型，这意味着我们将首次看到A系列在相同的光刻工艺下量产。早些时候的一项基准测试也显示，A18Pro正在接受测试，但其多核性能令人失望，泄露的信息表明，可能会为价格较低的iPhone16和iPhone16Plus制造标准款的A18。这些新芯片的推出只有在苹果向台积电大量订购3nm产品的情况下才有可能，而据《经济日报》报道，这家台湾公司的订单量预计将增加50%。通过这一举措，苹果应该会继续在2024年成为台积电的最大客户，虽然A18和A18Pro应该会贡献更大的出货量比例，但该公司的M3也将用于各种产品，例如新的OLEDiPadPro型号和更新的MacBookAir系列。TrendForce报告称，2023年第三季度，台积电的3nm制造工艺仅占公司总收入的6%，随着订单的增加，这一份额应该会大幅攀升。据说，这家半导体巨头还将在2024年底前把3nm工艺的月产量提高到10万片，这表明它打算同时完成其他客户的订单，而不仅仅是苹果公司。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1418527.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1418527.htm

台积电计划到2027年将特种工艺产能扩大50%

台积电计划到2027年将特种工艺产能扩大50%台积电业务发展暨海外运营处副总裁张晓强（KevinZhang）表示，“过去台积电总是对即将建成的晶圆厂进行预先审查再决定，但台积电很长一段时间以来，第一次一开始就决定兴建专为将来特殊工艺设计的晶圆厂，以满足未来需求。未来4~5年，台积电特殊工艺产能将增长至1.5倍，我们将扩大制造网络的覆盖范围，以提高整个晶圆厂供应链的弹性。”据悉，台积电除了用于制造逻辑芯片N5、N3E等众多节点，还为功率半导体、混合模拟I/O芯片和超低功耗应用（如物联网）等应用提供一系列专用节点，这些工艺通常使用较成熟制程。台积电近年来扩张战略的几个目标，包括在中国台湾以外地区设立新的晶圆厂，以及全面扩大产能，以满足未来对各种工艺技术的需求。据了解，截至目前，台积电最先进的专用节点是N6e，即N7/N6的变体，支持0.4V、0.9V工作电压。随着N4e节点的推出，台积电正在研究低于0.4V的电压。台积电目前尚未透露关于新节点的更详细信息，预计明年将会有更多消息。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1431778.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1431778.htm