16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中 将于2025年亮相

16-Hi堆栈和3D封装的三星HBM4内存正在开发中将于2025年亮相该公司目前的HBM产品组合包括作为顶级产品的HBM3E"Shinebolt"，采用24GbDRAM，容量达36GB，传输速度达9.8Gbps。该内存技术采用2.5D封装，支持12Hi的堆叠。三星HBM产品组合的下一个演变将以HBM4的形式出现。这种特殊内存的代号目前尚不清楚，但它应该会有更大的发展。从规格开始，三星的HBM4内存预计将包含多达16-Hi堆栈，如果我们使用相同的24Gb模块可以组合出高达256GB的HBM4容量，速度非常快，而目前的峰值约为10Gbps。三星表示：首先是"细分"。在早期市场，硬件的通用性非常重要，但在未来，随着围绕杀手级应用的服务日趋成熟，硬件基础设施将不可避免地经历一个针对每种服务进行优化的过程。三星电子计划通过统一核心芯片、多样化封装和基础芯片（如8H、12H和16H）来应对。目前，NVIDIA的BlackwellB100/B200和AMD的InstinctMI300GPU可提供高达192GB的HBM容量。前者采用较新的HBM3E标准，后者采用HBM3DRAM解决方案。这两款GPU都有8个HBM位点，每个位点都有12-Hi堆栈，因此如果将这些位点升级到较新的16-Hi堆栈，就可以获得256GB的容量。这还不算HBM4将推出的更密集的DRAM模块（24Gb+）。如果说从下一代HBM4开始，为解决功耗墙问题而进行的第一次创新是从推出使用逻辑工艺的基础芯片开始的，那么随着从目前的2.5DHBM逐步发展到3DHBM，将出现第二次创新。随着DRAM单元和逻辑的发展，预计将出现第三次创新，如HBM-PIM。目前，我们正在与客户和合作伙伴讨论如何实现这些创新，并将积极规划和准备开拓市场。此外，HBM4背后的另一项关键技术将是3D封装的利用。最近，JEDEC放宽了对HBM4内存的要求，允许公司利用现有的粘合技术。下一代3D封装还可能克服与混合粘合相关的一些价格问题。AMD预计将通过MI350和MI370系列更新其MI300产品线，这些产品线预计将增加容量，而NVIDIA则可能在HBM4供应稳定后更新其BlackwellGPU，以便在未来推出速度更快的产品。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1427795.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1427795.htm

三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存 2024年第一季度完成验证

三大存储巨头集体向英伟达供货第五代HBM3e内存2024年第一季度完成验证而HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示：美光已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士已于今年8月中提供8hi（24GB）样品，三星则于今年10月初提供8hi（24GB）样品。预期2024年第一季完成HBM3e产品验证。HBM（HighBandwidthMemory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存的一种，通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起。HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。且CPU处理的任务类型更多，且更具随机性，对速率及延迟更为敏感，HBM特性更适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第四代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。四代HBM规格对比至于下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆栈的层数上除了现有的12hi(12层)外，也将再往16hi(16层)发展。预计，HBM412hi将于2026年推出，而16hi产品则于2027年问世。据悉，在HBM4中，将首次看到最底层的Logicdie（又名Basedie）将首次采用采用12nm制程晶圆，该部分将由晶圆代工厂提供，使得单颗HBM产品需要晶圆代工厂与存储器厂合作。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1400111.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1400111.htm

三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证，原因与台积电有关

三星HBM3E没过NVIDIA验证，原因与台积电有关https://technews.tw/2024/05/15/samsung-hbm3e-failed-nvidia-verification/外媒报导，三星至今未通过NVIDIA验证，是卡在台积电。身为NVIDIA资料中心GPU制造和封装厂，台积电也是NVIDIA验证重要参与者，传闻采合作伙伴SK海力士HBM3E验证标准，而三星制程与SK海力士有差异，SK海力士采MR-RUF，三星则是TC-NCF，对参数多少有影响。———2024-03-14

NVIDIA据称正在测试SK Hynix的12层HBM3E原型样品

NVIDIA据称正在测试SKHynix的12层HBM3E原型样品2023年年中的报道称，NVIDIA在夏季前后获得了8层HBM3E（第4代）单元的样品，SKHynix也很快收到了批准通知。另一家韩国媒体DealSite认为，英伟达的内存认证流程暴露了多家制造商的HBM产量问题。SK海力士、三星和美光在HBM3E领域展开了激烈的竞争，希望能将各自的产品应用到英伟达的H200AIGPU上。DigiTimesAsia称，SKHynix准备在本月某个时间点"开始量产第五代HBM3E"。业内人士认为，SKHynix的良品率足以通过NVIDIA的早期认证，先进的12层样品有望在不久的将来获得批准。ZDNet认为，SKHynix的发展势头使其处于有利地位："（他们）在去年下半年提供了8层HBM3E样品，并通过了最近的测试。虽然官方时间表尚未公布，但预计最早将于本月开始量产。此外，SKHynix上个月还向英伟达提供了12层HBM3E样品。该样品属于极早期版本，主要用于建立新产品的标准和特性。SKHynix将其称为UTV（UniversalTestVehicle）。由于海力士已经完成了8层HBM3E的性能验证，预计12层HBM3E的测试不会花费太多时间"SKHynix副总裁最近透露，公司2024年的HBM产能已经预定一空，领导层已经在为2025年及以后的创新做准备。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1422828.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1422828.htm

美光将于2024年初向英伟达交付HBM3E内存

美光将于2024年初向英伟达交付HBM3E内存美光公司总裁兼首席执行官SanjayMehrotra在公司财报电话会议上表示："我们推出的HBM3E产品受到了客户的强烈关注和热捧。"美光在HBM市场上处于劣势，仅占10%的市场份额，而领先于竞争对手三星和SKHynix推出HBM3E（该公司也称之为HBM3Gen2）对美光来说是一件大事。该公司显然对其HBM3E寄予了厚望，因为这很可能使其领先于竞争对手（赢得市场份额）提供优质产品（提高收入和利润）。通常情况下，内存制造商往往不会透露其客户的名称，但这次美光强调，其HBM3E是客户路线图的一部分，并特别提到英伟达（NVIDIA）是其盟友。与此同时，NVIDIA迄今公布的唯一支持HBM3E的产品是其GraceHopperGH200计算平台，该平台采用了H100计算GPU和GraceCPU。Mehrotra说："在整个开发过程中，我们一直与客户密切合作，并正在成为他们人工智能路线图中紧密结合的合作伙伴。美光HBM3E目前正处于英伟达计算产品的资格认证阶段，这将推动HBM3E驱动的人工智能解决方案的发展。"美光的24GBHBM3E模块基于8个堆叠的24Gbit内存模块，采用公司的1β（1-beta）制造工艺。这些模块的日期速率高达9.2GT/秒，使每个堆栈的峰值带宽达到1.2TB/秒，比目前最快的HBM3模块提高了44%。同时，该公司不会止步于基于8-Hi24Gbit的HBM3E组件。该公司已宣布计划在开始量产8-Hi24GB堆叠之后，于2024年推出容量更高的36GB12-HiHBM3E堆叠。美光首席执行官补充说："我们预计在2024年初开始HBM3E的量产，并在2024财年实现可观的收入。"...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1387065.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1387065.htm

三星电子将于 2025 年推出新一代 HBM4 内存

三星电子将于2025年推出新一代HBM4内存三星量产了HBM2E和HBM3，并开发了每秒9.8千兆比特（Gbps）的HBM3E，我们将很快开始向客户提供样品，以丰富HPC/AI生态系统。展望未来，HBM4预计将于2025年推出，目前正在开发针对高热性能进行优化的技术，如非导电膜（NCF）组装和混合铜键合（HCB）。帖子中提供的信息显示，三星已经获得了潜在客户对其HBM3内存工艺的兴趣，其中英伟达（NVIDIA）等公司处于领先地位。随着人工智能（genAI）的发展，对相关硬件的要求达到了新的高度，因此对HBM3等必要组件的需求也迅速增加。英伟达正试图实现供应链的多元化，而三星电子在这方面就派上了用场，因为该公司拥有充足的设备来满足人工智能加速器对DRAM的需求。除了当前一代的进展，三星还计划快速推进下一代HBM4工艺，预计将于2025年亮相。虽然有关内存类型的具体细节不多，但三星透露，HBM4将采用"非导电薄膜"和"混合铜键合"，这将有助于提高内存工艺的能效和散热性能。HBM4的确将标志着向下一代人工智能加速器的过渡，为业界的计算能力打开新的大门。三星正在成为一家"与众不同"的供应商，尤其是该公司还在专注于开发芯片封装设备。鉴于该公司成功地赢得了潜在客户的信任，我们有可能看到这家韩国巨头的存储器部门在未来几年重振雄风。...PC版：https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1389583.htm手机版：https://m.cnbeta.com.tw/view/1389583.htm