三星否认将在HBM芯片生产中应用MR-MUF工艺3月13日,三星电子发布声明称,关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF(

None

相关推荐

封面图片

三星电子改组新设HBM芯片研发团队

三星电子改组新设HBM芯片研发团队在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下,三星电子进行大规模改组,组建一个专注于高带宽存储器(HBM)的研发团队,力争在半导体市场确保“超级差距”。据业界4日消息,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门当天进行改组,新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM(动态随机存取存储器)设计专家孙永洙担任该研发组组长,带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。此外,三星电子还对先进封装(AVP)团队和设备技术实验所进行重组,以提升整体技术竞争力。——

封面图片

英伟达寻求从三星采购HBM芯片

英伟达寻求从三星采购HBM芯片黄仁勋表示,英伟达正在对三星的HBM芯片进行资格认证,并将在未来开始使用它们。HBM已成为人工智能热潮的重要组成部分,因为与传统存储芯片相比,它提供了更快的处理速度。黄仁勋表示:“HBM是一个技术奇迹。”他补充说,HBM还可以提高能效,并且随着耗电的人工智能芯片变得更加普遍,将帮助世界保持可持续发展。SK海力士实际上是AI芯片领导者英伟达的HBM3芯片的唯一供应商。虽然没有透露新HBM3E的客户名单,但SK海力士高管透露,新芯片将首先供货英伟达并用于其最新的BlackwellGPU。三星一直在HBM上投入巨资,以追赶竞争对手。三星于2月宣布开发出HBM3E12H,这是业界首款12层堆栈HBM3EDRAM,也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示,将于今年上半年开始量产该芯片。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1424347.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1424347.htm

封面图片

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星HBM内存芯片英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存(HBM)芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者,他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的HBM芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。,”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前,路透社报道称,三星最新高带宽内存(HBM)芯片由于散热和功耗问题,导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时,黄仁勋说:"根本没有那回事。”——

封面图片

三星展望HBM4内存 工艺学习Intel 22nm

三星展望HBM4内存工艺学习Intel22nm工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从而降低所需的驱动电流,改善能效。FinFET立体晶体管技术是Intel22nm率先引用的,这些年一直是半导体制造工艺的根基,接下来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上,都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面,三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding),将铜层与铜层直接互连。事实上,这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术,仍在研发之中。显然,这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽,但成本也将居高不下,注定它不会和普通用户产生多大关联,依然是HPC、AI领域的专属。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1391567.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1391567.htm

封面图片

三星将于2025年在其2纳米工艺中引入背面电源技术 芯片面积最多减少19%

三星将于2025年在其2纳米工艺中引入背面电源技术芯片面积最多减少19%这将是三星和台积电之间的一场竞争,双方都希望推出各自2nm节点的最佳版本。对于三星来说,来自《朝鲜日报》的报道称,背面电源技术有望改变游戏规则,而且初步测试结果已经超出了该公司的目标。至于具体的测试,据说三星已将该技术应用于两个未命名的ARM内核,芯片面积分别减少了10%和19%。随着芯片面积的缩小,三星可以有效地开始批量生产标榜更小表面积的SoC设计,不仅如此,先前进行的测试还有助于成功地大幅提高性能和能效水平。正如报告所言,BSPDN是一种尚未商业化的新工艺,但报告并未提及这是否是由于成本限制,或者是否没有过多考虑探索这项技术。无论如何,顾名思义,背面电源是放置在芯片背面的电源线,它将电路和电源空间隔开。这有助于最大限度地提高效率,同时也为提高半导体性能提供了机会。目前,电源线被放置在晶圆的顶部,因为电路就是在那里绘制的,一开始这会为制造过程带来便利,然而,随着电路变得越来越精细,随着电路间隙的缩小,干扰就会出现,从而给设计和批量生产带来更多困难,三星和台积电均已开始探索2纳米等先进节点,将电路和电源线刻在一面变得越来越困难。据说三星已经从一家日本初创公司获得了首批2纳米芯片订单,但目前还不清楚这批芯片是否采用了BSPDN技术。台积电还没有尝试使用背面电源技术的消息,因此从纸面上看,三星在这方面具有优势,但这种方法的成功与否还需要时间来证明。...PC版:https://www.cnbeta.com.tw/articles/soft/1421499.htm手机版:https://m.cnbeta.com.tw/view/1421499.htm

封面图片

三星电子:HBM供货测试进展顺利三星回应HBM芯片未通过英伟达测试称,正与合作伙伴顺利进行HBM供货的测试。

🔍 发送关键词来寻找群组、频道或视频。

启动SOSO机器人