三星：公司今年 HBM 产能将是去年的 2.9 倍 高于此前预期

三星：公司今年HBM产能将是去年的2.9倍高于此前预期日前在全球芯片制造商聚会Memcon2024上，三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管HwangSang-joong表示，预计该公司将增加HBM芯片产量，今年产量是去年的2.9倍。三星今年年初在CES2024上给出的预测为2.5倍。三星预计2026年HBM出货量将是2023年产量的13.8倍；到2028年，HBM年产量将进一步增至2023年水平的23.1倍。

三星电子改组新设HBM芯片研发团队

三星电子改组新设HBM芯片研发团队在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下，三星电子进行大规模改组，组建一个专注于高带宽存储器(HBM)的研发团队，力争在半导体市场确保“超级差距”。据业界4日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门当天进行改组，新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM(动态随机存取存储器)设计专家孙永洙担任该研发组组长，带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。此外，三星电子还对先进封装(AVP)团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。——

三星电子联席 CEO 据悉拜访台积电及云达，推广三星 HBM

三星电子联席CEO据悉拜访台积电及云达，推广三星HBM三星电子联席首席执行官庆桂显日前低调前往台湾，据悉拜访台积电及广达集团旗下云达。消息人士透露，庆桂显此行有两大任务，最主要是推广三星最新高频宽内存（HBM），其次是洽谈与台厂可能的AI合作，但并未涉及台韩晶圆代工竞合议题。对于传出庆桂显到访，台积电4月15日表示，不评论市场传闻。云达则在LinkedIn上发文证实庆桂显到访。据悉，庆桂显此行也参观云达与英特尔合作打造的5GOpenLab。